一种InGaAs焦平面红外探测器的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211022239.X

申请日：

2022-08-25

公开(公告)号：

CN115411142B

公开(公告)日：

2025-02-18

发明(设计)人：

弭伟杨志茂王斌陈新荣

申请人：

北京英孚瑞半导体科技有限公司

申请人地址：

100017 北京市西城区百万庄大街16号1号楼8层1814室

IPC主分类号：

H10F71/00

IPC分类号：

H10F77/124 H10F77/20 H10F77/14 H10F30/223 H10F39/18 G01J5/10

代理机构：

天津创智睿诚知识产权代理有限公司 12251

代理人：

王海滨

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-18	授权	授权

共 50 条

[1]

一种InGaAs焦平面红外探测器的制备方法 [P].

弭伟 ;

杨志茂 ;

王斌 ;

陈新荣 .

中国专利 :CN115411142A ,2022-11-29

[2]

GaSb焦平面红外探测器的制备方法及GaSb焦平面红外探测器 [P].

郝宏玥 ;

徐应强 ;

牛智川 ;

王国伟 ;

蒋洞微 .

中国专利 :CN113013289A ,2021-06-22

[3]

焦平面红外探测器芯片、探测器和制备方法 [P].

郝宏玥 ;

徐应强 ;

牛智川 ;

王国伟 ;

蒋洞微 .

中国专利 :CN113130676A ,2021-07-16

[4]

一种焦平面红外探测器结构 [P].

陈钢 ;

曾广锋 ;

高涛 .

中国专利 :CN215865505U ,2022-02-18

[5]

台面型焦平面红外探测器及其制备方法 [P].

孔文超 ;

黄晟 ;

黄立 ;

甘志伟 .

中国专利 :CN120224838A ,2025-06-27

[6]

一种新型InGaAs红外焦平面探测器的制备工艺 [P].

张家鑫 ;

史衍丽 ;

石慧 ;

郭金萍 ;

贾凯凯 ;

王伟 ;

刘璐 ;

郭文姬 ;

高炜 ;

刘建林 ;

徐文艾 .

中国专利 :CN112071956B ,2020-12-11

[7]

红外焦平面探测器及其制备方法 [P].

白谢晖 .

中国专利 :CN108987523A ,2018-12-11

[8]

一种抑制电串音的InGaAs红外焦平面探测器制备方法 [P].

张家鑫 ;

石慧 ;

史衍丽 ;

贾凯凯 .

中国专利 :CN115425041B ,2024-06-11

[9]

一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法 [P].

张家鑫 ;

史衍丽 ;

石慧 ;

郭金萍 ;

贾凯凯 ;

王伟 ;

刘璐 ;

郭文姬 ;

高炜 ;

刘建林 ;

徐文艾 .

中国专利 :CN111916469B ,2020-11-10

[10]

一种抑制电串音的InGaAs红外焦平面探测器制备方法 [P].

张家鑫 ;

石慧 ;

史衍丽 ;

贾凯凯 .

中国专利 :CN115425041A ,2022-12-02

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