保护膜形成用组合物、保护膜形成用片、以及带有保护膜的芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480060912.6

申请日：

2014-11-10

公开(公告)号：

CN105706228A

公开(公告)日：

2016-06-22

发明(设计)人：

山本大辅米山裕之

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2300

IPC分类号：

C08K300 C08L3306 C08L6300 H01L2329 H01L2331

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王利波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-22	公开	公开
2020-01-10	授权	授权

共 50 条

[1]

保护膜形成用组合物、保护膜形成用片、以及带有固化保护膜的芯片 [P].

山本大辅 ;

吾妻佑一郎 .

中国专利 :CN104838489A ,2015-08-12

[2]

保护膜形成用膜以及保护膜形成用复合片 [P].

稻男洋一 ;

小桥力也 .

中国专利 :CN108701640B ,2018-10-23

[3]

保护膜形成用膜以及保护膜形成用复合片 [P].

山本大辅 ;

稻男洋一 .

日本专利 :CN109071845B ,2024-08-09

[4]

保护膜形成用膜以及保护膜形成用复合片 [P].

稻男洋一 ;

小桥力也 .

中国专利 :CN108966656A ,2018-12-07

[5]

保护膜形成用膜以及保护膜形成用复合片 [P].

山本大辅 ;

稻男洋一 .

中国专利 :CN109071845A ,2018-12-21

[6]

保护膜形成用组合物及保护膜 [P].

秋池利之 ;

梶田彻 .

中国专利 :CN1817966A ,2006-08-16

[7]

保护膜形成膜、保护膜形成用片、保护膜形成用复合片及检查方法 [P].

山本大辅 ;

米山裕之 .

中国专利 :CN106415819A ,2017-02-15

[8]

保护膜形成膜、保护膜形成用片、保护膜形成用复合片及检查方法 [P].

山本大辅 ;

米山裕之 .

中国专利 :CN112563181A ,2021-03-26

[9]

保护膜形成用膜、保护膜形成用片及半导体晶片 [P].

刘晏全 ;

陈灯桂 ;

郑亦杰 ;

王品胜 ;

林岳霆 ;

刘育铨 ;

林育琪 .

中国专利 :CN120648400A ,2025-09-16

[10]

保护膜形成膜及保护膜形成用复合片 [P].

小桥力也 ;

山本大辅 ;

加太章生 .

中国专利 :CN107112219A ,2017-08-29

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