半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备

被引：0

申请号：

CN202210167810.0

申请日：

2022-02-23

公开(公告)号：

CN114551332A

公开(公告)日：

2022-05-27

发明(设计)人：

李刚郭申桑瑞张志雄张成陈成

申请人：

申请人地址：

430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2711524 H01L271157 H01L2906 G11C502

代理机构：

深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570

代理人：

赵伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20220223
2022-05-27	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备 [P].

雒曲 ;

尹航 ;

王人焱 ;

吴智鹏 ;

徐伟 .

中国专利 :CN115000051B ,2024-11-12

[2]

半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备 [P].

邢雨林 ;

吴智鹏 ;

付家赫 ;

王人焱 ;

尹航 ;

郭振 ;

陈斌 ;

徐伟 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN118039570A ,2024-05-14

[3]

半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备 [P].

颜丙杰 .

中国专利 :CN113990868A ,2022-01-28

[4]

半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备 [P].

雒曲 ;

尹航 ;

王人焱 ;

吴智鹏 ;

徐伟 .

中国专利 :CN115000051A ,2022-09-02

[5]

半导体器件及其制作方法、存储器和存储系统 [P].

潘震 ;

肖亮 ;

伍术 .

中国专利 :CN118448437A ,2024-08-06

[6]

半导体器件、半导体器件制作方法、存储器及存储系统 [P].

范冬宇 ;

刘磊 ;

潘震 ;

伍术 ;

吕忠 ;

夏志良 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN119480869A ,2025-02-18

[7]

半导体器件及其制作方法、存储器及存储系统 [P].

吴林春 ;

郑晓芬 ;

张坤 ;

周文犀 .

中国专利 :CN118412321A ,2024-07-30

[8]

半导体器件及其制作方法、存储器及存储系统 [P].

杨永刚 .

中国专利 :CN118055615A ,2024-05-17

[9]

半导体器件及其制作方法、存储器及存储系统 [P].

唐兆云 .

中国专利 :CN118985182A ,2024-11-19

[10]

半导体器件及其制作方法、存储器及存储系统 [P].

李兆松 ;

魏健蓝 ;

刘静 ;

乔思 ;

鲁周阳 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN118076110A ,2024-05-24

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