半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210568759.4

申请日：

2022-05-24

公开(公告)号：

CN115000051B

公开(公告)日：

2024-11-12

发明(设计)人：

雒曲尹航王人焱吴智鹏徐伟

申请人：

长江存储科技有限责任公司

申请人地址：

430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

IPC主分类号：

H01L23/60

IPC分类号：

H01L23/00 H10B41/35 H10B41/20 H10B43/35 H10B43/20

代理机构：

深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570

代理人：

李莎

法律状态：

授权

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-12	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备 [P].

雒曲 ;

尹航 ;

王人焱 ;

吴智鹏 ;

徐伟 .

中国专利 :CN115000051A ,2022-09-02

[2]

半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备 [P].

邢雨林 ;

吴智鹏 ;

付家赫 ;

王人焱 ;

尹航 ;

郭振 ;

陈斌 ;

徐伟 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN118039570A ,2024-05-14

[3]

半导体器件及其制作方法、存储系统及电子设备 [P].

尹航 ;

吴智鹏 ;

王人焱 ;

雒曲 ;

邢雨林 ;

杨竹 ;

徐伟 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN114914231A ,2022-08-16

[4]

半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备 [P].

李刚 ;

郭申 ;

桑瑞 ;

张志雄 ;

张成 ;

陈成 .

中国专利 :CN114551332A ,2022-05-27

[5]

半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备 [P].

颜丙杰 .

中国专利 :CN113990868A ,2022-01-28

[6]

半导体器件、半导体器件制作方法、存储器及存储系统 [P].

范冬宇 ;

刘磊 ;

潘震 ;

伍术 ;

吕忠 ;

夏志良 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN119480869A ,2025-02-18

[7]

半导体结构及其制作方法、存储器、存储系统、电子设备 [P].

蒲浩 ;

李拓 ;

赵英杰 .

中国专利 :CN120111889A ,2025-06-06

[8]

半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统 [P].

桑瑞 ;

郭申 ;

李刚 ;

张志雄 ;

张成 ;

谢海波 .

中国专利 :CN114171389B ,2025-06-20

[9]

半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统 [P].

桑瑞 ;

郭申 ;

李刚 ;

张志雄 ;

张成 ;

谢海波 .

中国专利 :CN114171389A ,2022-03-11

[10]

半导体器件及其制作方法、存储器及存储系统 [P].

唐兆云 .

中国专利 :CN118985182A ,2024-11-19

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