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半导体结构及其制作方法、存储器、存储系统、电子设备

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311674674.5
申请日：
2023-12-06
公开(公告)号：
CN120111889A
公开(公告)日：
2025-06-06
发明(设计)人：
蒲浩 李拓 赵英杰
申请人：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址：
430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
IPC主分类号：
H10B43/27
IPC分类号：
H10B43/35
代理机构：
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274
代理人：
胡萌
法律状态：
公开
国省代码：
河北省 石家庄市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-06 公开 公开
2025-06-24 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 43/27申请日:20231206
共 50 条
[1]
半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备 [P]. 
郭秦敏 ;
周毅 ;
罗兴安 ;
贺晓平 .
中国专利 :CN121001337A ,2025-11-21
[2]
半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备 [P]. 
张伟民 ;
蔡志勇 ;
龙洋 ;
罗兴安 ;
周毅 .
中国专利 :CN120936021A ,2025-11-11
[3]
半导体结构、其制作方法、存储器、存储系统与电子设备 [P]. 
王欣 ;
许文山 ;
甘程 .
中国专利 :CN114023822A ,2022-02-08
[4]
半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备 [P]. 
雒曲 ;
尹航 ;
王人焱 ;
吴智鹏 ;
徐伟 .
中国专利 :CN115000051B ,2024-11-12
[5]
半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备 [P]. 
邢雨林 ;
吴智鹏 ;
付家赫 ;
王人焱 ;
尹航 ;
郭振 ;
陈斌 ;
徐伟 ;
霍宗亮 .
中国专利 :CN118039570A ,2024-05-14
[6]
半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备 [P]. 
雒曲 ;
尹航 ;
王人焱 ;
吴智鹏 ;
徐伟 .
中国专利 :CN115000051A ,2022-09-02
[7]
半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备 [P]. 
贾信磊 ;
韩佳茵 ;
徐盼 ;
杨琨 ;
靳磊 .
中国专利 :CN114420698A ,2022-04-29
[8]
半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备 [P]. 
贾信磊 ;
贾建权 ;
周稳 ;
游开开 ;
韩佳茵 ;
徐盼 ;
杨琨 ;
靳磊 .
中国专利 :CN114284287B ,2025-07-29
[9]
半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备 [P]. 
贾信磊 ;
贾建权 ;
周稳 ;
游开开 ;
韩佳茵 ;
徐盼 ;
杨琨 ;
靳磊 .
中国专利 :CN120857505A ,2025-10-28
[10]
半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备 [P]. 
贾信磊 ;
贾建权 ;
周稳 ;
游开开 ;
韩佳茵 ;
徐盼 ;
杨琨 ;
靳磊 .
中国专利 :CN114284287A ,2022-04-05
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