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半导体结构的形成方法、晶体管

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201911174134.4
申请日：
2019-11-26
公开(公告)号：
CN112951896A
公开(公告)日：
2021-06-11
发明(设计)人：
马启锋 刘云珍 蔡国辉
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L21336 H01L2978
代理机构：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人：
吴凡;高静
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-06-11 公开 公开
2021-07-02 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20191126
共 50 条
[1]
半导体结构的形成方法、晶体管 [P]. 
马启锋 ;
刘云珍 ;
蔡国辉 .
中国专利 :CN112951896B ,2024-03-26
[2]
半导体结构的形成方法、晶体管 [P]. 
王士京 ;
何其暘 .
中国专利 :CN112670168B ,2024-03-01
[3]
半导体结构的形成方法、晶体管 [P]. 
杨鹏 ;
渠汇 ;
钱文明 ;
吉利 ;
唐睿智 ;
刘佳磊 .
中国专利 :CN112864092A ,2021-05-28
[4]
半导体结构的形成方法、晶体管 [P]. 
王士京 ;
何其暘 .
中国专利 :CN112670168A ,2021-04-16
[5]
半导体结构的形成方法、晶体管 [P]. 
杨鹏 ;
渠汇 ;
钱文明 ;
吉利 ;
唐睿智 ;
刘佳磊 .
中国专利 :CN112864092B ,2024-03-08
[6]
半导体结构的形成方法、晶体管 [P]. 
郑二虎 ;
宋佳 .
中国专利 :CN112447510A ,2021-03-05
[7]
半导体结构的形成方法、晶体管 [P]. 
郑二虎 .
中国专利 :CN112349588A ,2021-02-09
[8]
半导体结构的形成方法、晶体管 [P]. 
张海洋 ;
刘思旸 .
中国专利 :CN112151440A ,2020-12-29
[9]
半导体结构的形成方法、晶体管 [P]. 
张静 ;
刘佳磊 .
中国专利 :CN112652578A ,2021-04-13
[10]
半导体结构的形成方法、晶体管 [P]. 
郑二虎 ;
苏博 ;
张婷 .
中国专利 :CN112309978B ,2024-08-20
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