一种钇掺杂氧化锆单晶衬底的处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510258262.2

申请日：

2015-05-20

公开(公告)号：

CN104882534A

公开(公告)日：

2015-09-02

发明(设计)人：

姚岐沈大伟刘吉山李明颖刘正太

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L3924

IPC分类号：

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-02	公开	公开
2017-12-29	授权	授权
2015-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101627835257 IPC(主分类):H01L 39/24 专利申请号:2015102582622 申请日:20150520

共 50 条

[1]

钇掺杂氧化锆纳米颗粒制备方法 [P].

董岩 ;

王玥莹 ;

刘鑫 ;

刘星宇 ;

蒋建清 .

中国专利 :CN115231614B ,2024-04-19

[2]

一种在钇掺杂氧化锆衬底上制备立方结构氧化铟单晶薄膜的方法 [P].

马瑾 ;

孔令沂 ;

栾彩娜 .

中国专利 :CN101792901A ,2010-08-04

[3]

一种纳米钇掺杂氧化锆粉的制备方法 [P].

张尚权 .

中国专利 :CN107540017A ,2018-01-05

[4]

一种钇掺杂氧化锆粉体及其制备方法 [P].

张云龙 ;

李敏杰 ;

吴梦飞 ;

曹玉超 ;

梁涛 ;

张纪锋 .

中国专利 :CN108975394A ,2018-12-11

[5]

一种制备钇掺杂的氧化锆空心颗粒的方法 [P].

袁方利 ;

金化成 ;

丁飞 ;

李保强 .

中国专利 :CN117534462B ,2025-05-02

[6]

一种制备钇掺杂的氧化锆空心颗粒的方法 [P].

袁方利 ;

金化成 ;

丁飞 ;

李保强 .

中国专利 :CN117534462A ,2024-02-09

[7]

一种NdGaO3单晶衬底的处理方法 [P].

杨海峰 ;

沈大伟 ;

李明颖 ;

刘正太 ;

姚岐 ;

樊聪聪 ;

刘吉山 .

中国专利 :CN104831348A ,2015-08-12

[8]

一种铒/钇掺杂氧化锆透明陶瓷及其制备方法和应用 [P].

雷若姗 ;

王焕平 ;

李明辉 ;

田颖 ;

徐时清 ;

杨清华 ;

华有杰 ;

黄飞飞 .

中国专利 :CN112521148A ,2021-03-19

[9]

掺杂钇和镧的基于氧化锆的材料 [P].

詹姆斯·P·马瑟斯 ;

凯瑟琳·M·洪帕尔 ;

布兰特·U·科尔布 ;

马克·J·亨德里克森 ;

迈尔斯·L·布罗斯特伦 ;

霍尔格·豪普特曼 .

中国专利 :CN102686536A ,2012-09-19

[10]

掺杂钇和镧的基于氧化锆的材料 [P].

詹姆斯·P·马瑟斯 ;

凯瑟琳·M·洪帕尔 ;

布兰特·U·科尔布 ;

马克·J·亨德里克森 ;

迈尔斯·L·布罗斯特伦 ;

霍尔格·豪普特曼 .

中国专利 :CN105669235A ,2016-06-15

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