一种在钇掺杂氧化锆衬底上制备立方结构氧化铟单晶薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010141341.2

申请日：

2010-04-08

公开(公告)号：

CN101792901A

公开(公告)日：

2010-08-04

发明(设计)人：

马瑾孔令沂栾彩娜

申请人：

申请人地址：

250100 山东省济南市历城区山大南路27号

IPC主分类号：

C23C1640

IPC分类号：

C23C16455

代理机构：

济南金迪知识产权代理有限公司 37219

代理人：

许德山

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101006070197 IPC(主分类):C23C 16/40 专利申请号:2010101413412 申请日:20100408
2011-06-01	授权	授权
2010-08-04	公开	公开
2014-05-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101582507494 IPC(主分类):C23C 16/40 专利号:ZL2010101413412 申请日:20100408 授权公告日:20110601 终止日期:20130408

共 50 条

[1]

一种氧化铟单晶外延薄膜的制备方法 [P].

马瑾 ;

杨帆 ;

栾彩娜 .

中国专利 :CN101311357A ,2008-11-26

[2]

一种钇掺杂氧化锆单晶衬底的处理方法 [P].

姚岐 ;

沈大伟 ;

刘吉山 ;

李明颖 ;

刘正太 .

中国专利 :CN104882534A ,2015-09-02

[3]

一种在氧化镁衬底上制备单斜晶型氧化镓单晶薄膜的方法 [P].

马瑾 ;

孔令沂 ;

栾彩娜 .

中国专利 :CN101967680B ,2011-02-09

[4]

钇掺杂氧化锆纳米颗粒制备方法 [P].

董岩 ;

王玥莹 ;

刘鑫 ;

刘星宇 ;

蒋建清 .

中国专利 :CN115231614B ,2024-04-19

[5]

一种纳米钇掺杂氧化锆粉的制备方法 [P].

张尚权 .

中国专利 :CN107540017A ,2018-01-05

[6]

一种钇掺杂氧化锆粉体及其制备方法 [P].

张云龙 ;

李敏杰 ;

吴梦飞 ;

曹玉超 ;

梁涛 ;

张纪锋 .

中国专利 :CN108975394A ,2018-12-11

[7]

从掺钇立方相氧化锆粉末中制备氧化锆及氧化钇的方法 [P].

王必庆 .

中国专利 :CN1986423A ,2007-06-27

[8]

钇稳定氧化锆浆料、其制备方法及钇稳定氧化锆薄膜的制备方法 [P].

周超 ;

苏红娟 ;

梁金葵 ;

付振晓 .

中国专利 :CN105541323A ,2016-05-04

[9]

一种制备钇掺杂的氧化锆空心颗粒的方法 [P].

袁方利 ;

金化成 ;

丁飞 ;

李保强 .

中国专利 :CN117534462B ,2025-05-02

[10]

一种制备钇掺杂的氧化锆空心颗粒的方法 [P].

袁方利 ;

金化成 ;

丁飞 ;

李保强 .

中国专利 :CN117534462A ,2024-02-09

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