半导体薄膜、半导体薄膜的制备方法和半导体元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880015165.9

申请日：

2008-04-23

公开(公告)号：

CN101679036A

公开(公告)日：

2010-03-24

发明(设计)人：

井上一吉宇都野太本田克典

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

C01B1314

IPC分类号：

C23C1408 C01G1500 C23C1458

代理机构：

上海市华诚律师事务所

代理人：

侯莉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-03-24	公开	公开
2015-08-05	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101718889559 IPC(主分类):C01B 13/14 专利申请号:2008800151659 申请公布日:20100324
2010-05-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001678411 IPC(主分类):C01B 13/14 专利申请号:2008800151659 申请日:20080423

共 50 条

[1]

半导体薄膜、半导体薄膜的制备方法和半导体元件 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

本田克典 .

中国专利 :CN103274608A ,2013-09-04

[2]

半导体薄膜制造机台及半导体薄膜制备方法 [P].

肖恩才 ;

魏晓平 .

中国专利 :CN120683455A ,2025-09-23

[3]

半导体薄膜结晶及半导体元件制造的方法 [P].

林家兴 ;

陈麒麟 .

中国专利 :CN1933104A ,2007-03-21

[4]

薄膜、半导体薄膜、半导体器件的生产方法 [P].

中屿英晴 ;

根来阳一 ;

碓井节夫 .

中国专利 :CN1348200A ,2002-05-08

[5]

薄膜半导体装置和制造薄膜半导体装置的方法 [P].

町田晓夫 ;

藤野敏夫 ;

河野正洋 .

中国专利 :CN101038938A ,2007-09-19

[6]

形成半导体薄膜的方法和半导体薄膜检测装置 [P].

梅津畅彦 ;

稻垣敬夫 .

中国专利 :CN101800168B ,2010-08-11

[7]

半导体薄膜的形成方法和半导体薄膜的形成装置 [P].

松村正清 ;

西谷幹彥 ;

木村嘉伸 ;

十文字正之 ;

谷口幸夫 ;

平松雅人 ;

中野文樹 .

中国专利 :CN100442440C ,2003-09-10

[8]

半导体元件和半导体装置 [P].

今藤修 .

中国专利 :CN114503284A ,2022-05-13

[9]

半导体元件和半导体装置 [P].

松原佑典 ;

今藤修 ;

安藤裕之 ;

竹原秀树 ;

四户孝 ;

冲川满 .

中国专利 :CN115053354A ,2022-09-13

[10]

半导体元件和半导体装置 [P].

松原佑典 ;

今藤修 ;

安藤裕之 ;

竹原秀树 ;

四户孝 ;

冲川满 .

中国专利 :CN115053355A ,2022-09-13

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