半导体薄膜制造机台及半导体薄膜制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410320741.1

申请日：

2024-03-20

公开(公告)号：

CN120683455A

公开(公告)日：

2025-09-23

发明(设计)人：

肖恩才魏晓平

申请人：

芯恩（青岛）集成电路有限公司

申请人地址：

266000 山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401

IPC主分类号：

C23C14/22

IPC分类号：

C23C16/455 C23C16/34

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

贺妮妮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

山东省青岛市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/22申请日:20240320
2025-09-23	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体薄膜、半导体薄膜的制备方法和半导体元件 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

本田克典 .

中国专利 :CN103274608A ,2013-09-04

[2]

半导体薄膜、半导体薄膜的制备方法和半导体元件 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

本田克典 .

中国专利 :CN101679036A ,2010-03-24

[3]

薄膜半导体衬底及制造方法、薄膜半导体器件及制造方法 [P].

平松雅人 ;

木村嘉伸 ;

小川裕之 ;

十文字正之 ;

松村正清 .

中国专利 :CN100463224C ,2005-02-09

[4]

半导体薄膜结晶及半导体器件制造方法 [P].

林家兴 ;

朱芳村 ;

陈宏泽 .

中国专利 :CN101271847A ,2008-09-24

[5]

半导体薄膜，半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

宫永昭治 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1169026A ,1997-12-31

[6]

薄膜半导体装置和制造薄膜半导体装置的方法 [P].

町田晓夫 ;

藤野敏夫 ;

河野正洋 .

中国专利 :CN101038938A ,2007-09-19

[7]

薄膜半导体器件及薄膜半导体器件的制造方法 [P].

林宏 ;

川岛孝启 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN103038887A ,2013-04-10

[8]

半导体薄膜结晶及半导体元件制造的方法 [P].

林家兴 ;

陈麒麟 .

中国专利 :CN1933104A ,2007-03-21

[9]

半导体薄膜及使用这种薄膜的半导体器件的制造方法 [P].

船井尚 ;

牧田直树 ;

山元良高 ;

森田达夫 .

中国专利 :CN1109213A ,1995-09-27

[10]

薄膜、半导体薄膜、半导体器件的生产方法 [P].

中屿英晴 ;

根来阳一 ;

碓井节夫 .

中国专利 :CN1348200A ,2002-05-08

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