一种HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910555777.7

申请日：

2019-06-25

公开(公告)号：

CN110400858A

公开(公告)日：

2019-11-01

发明(设计)人：

李斌龙会跃成秋云周奇瑞罗志高

申请人：

申请人地址：

410205 湖南省长沙市高新开发区桐梓坡西路586号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

代理机构：

湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008

代理人：

周长清;何文红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20190625
2022-03-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 31/18 申请公布日:20191101
2019-11-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于双层透明导电氧化物薄膜的HJT电池及其制备方法 [P].

张威 ;

彭宜昌 ;

李斌 ;

周奇瑞 .

中国专利 :CN112713212A ,2021-04-27

[2]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

陈剑辉 ;

李锋 ;

沈燕龙 ;

赵文超 ;

李高非 ;

胡志岩 ;

熊景峰 ;

宋登元 .

中国专利 :CN103147041A ,2013-06-12

[3]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

刘铭全 .

中国专利 :CN119730486A ,2025-03-28

[4]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

崔鸽 ;

董刚强 ;

李沅民 ;

谭钦 .

中国专利 :CN111446149A ,2020-07-24

[5]

能量过滤磁控溅射镀膜装置、透明导电氧化物薄膜的制备方法及HJT电池 [P].

龙会跃 ;

成秋云 ;

罗志高 ;

周奇瑞 ;

李斌 .

中国专利 :CN110284103A ,2019-09-27

[6]

一种透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

徐东 ;

徐永 ;

任昌义 .

中国专利 :CN102646759B ,2012-08-22

[7]

透明导电氧化物薄膜的低温制备方法 [P].

陈同来 ;

李清文 ;

陈名海 .

中国专利 :CN101429643A ,2009-05-13

[8]

一种透明导电氧化物薄膜的制备方法及应用 [P].

韩灿 ;

M·泽曼 ;

O·伊莎贝拉 .

中国专利 :CN111081812A ,2020-04-28

[9]

一种非晶透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

张群 ;

李喜峰 ;

缪维娜 ;

黄丽 ;

章壮健 .

中国专利 :CN100415930C ,2005-11-16

[10]

一种透明导电氧化物薄膜及其制备方法 [P].

刘生忠 ;

肖锋伟 ;

訾威 .

中国专利 :CN106048530A ,2016-10-26

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