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集成CMOS电路的热电堆传感器系统及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011410282.4
申请日：
2020-12-03
公开(公告)号：
CN112591706A
公开(公告)日：
2021-04-02
发明(设计)人：
孙伟 闻永祥 刘琛 李佳
申请人：
申请人地址：
310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区10号大街(东)308号13幢
IPC主分类号：
B81B704
IPC分类号：
B81C100
代理机构：
北京成创同维知识产权代理有限公司 11449
代理人：
蔡纯;岳丹丹
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-04-23 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):B81B 7/04 申请日:20201203
2021-04-02 公开 公开
共 50 条
[1]
集成CMOS电路的热电堆传感器系统及其制造方法 [P]. 
孙伟 ;
闻永祥 ;
刘琛 ;
李佳 .
中国专利 :CN112591706B ,2024-02-23
[2]
一种集成CMOS电路的热电堆传感器及其制造方法 [P]. 
刘永灿 ;
游冠军 .
中国专利 :CN113639877A ,2021-11-12
[3]
一种集成CMOS电路的热电堆传感器系统 [P]. 
周健 ;
胡铁刚 .
中国专利 :CN214121427U ,2021-09-03
[4]
热电堆传感器及其制造方法 [P]. 
N·乌尔布里希 .
中国专利 :CN101644605A ,2010-02-10
[5]
MEMS热电堆传感器及其制造方法 [P]. 
刘同庆 .
中国专利 :CN113108922A ,2021-07-13
[6]
热电堆真空传感器及其制造方法 [P]. 
骆兴芳 ;
俞挺 ;
袁彩雷 .
中国专利 :CN106017790B ,2016-10-12
[7]
利用CMOS制造技术形成热电堆传感器 [P]. 
A·伊马迪 ;
S·巴尼特 .
中国专利 :CN105070822A ,2015-11-18
[8]
热电堆红外传感器及其制造方法 [P]. 
韩凤芹 .
中国专利 :CN112629675A ,2021-04-09
[9]
热电堆红外传感器及其制造方法 [P]. 
韩凤芹 .
中国专利 :CN112629675B ,2025-12-23
[10]
热电堆红外传感器及其制造方法 [P]. 
蔡清华 ;
张新伟 ;
杨杰 ;
顾坚俭 ;
薛静静 ;
李俊萍 ;
康健力 ;
陈佳霞 .
中国专利 :CN117979805A ,2024-05-03
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