热电堆传感器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910165749.0

申请日：

2009-08-10

公开(公告)号：

CN101644605A

公开(公告)日：

2010-02-10

发明(设计)人：

N·乌尔布里希

申请人：

申请人地址：

德国斯图加特

IPC主分类号：

G01J520

IPC分类号：

B81B702 B81C100 B81C300

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

侯鸣慧

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-12	授权	授权
2011-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101111314910 IPC(主分类):G01J 5/20 专利申请号:2009101657490 申请日:20090810
2010-02-10	公开	公开

共 50 条

[1]

MEMS热电堆传感器及其制造方法 [P].

刘同庆 .

中国专利 :CN113108922A ,2021-07-13

[2]

热电堆红外传感器及其制造方法 [P].

韩凤芹 .

中国专利 :CN112629675A ,2021-04-09

[3]

热电堆红外传感器及其制造方法 [P].

韩凤芹 .

中国专利 :CN112629675B ,2025-12-23

[4]

热电堆红外传感器及其制造方法 [P].

蔡清华 ;

张新伟 ;

杨杰 ;

顾坚俭 ;

薛静静 ;

李俊萍 ;

康健力 ;

陈佳霞 .

中国专利 :CN117979805A ,2024-05-03

[5]

热电堆真空传感器及其制造方法 [P].

骆兴芳 ;

俞挺 ;

袁彩雷 .

中国专利 :CN106017790B ,2016-10-12

[6]

MEMS热电堆传感器 [P].

刘同庆 .

中国专利 :CN214502684U ,2021-10-26

[7]

热电堆传感器及其控制方法 [P].

王志特 ;

刘军涛 ;

舒洁芸 .

中国专利 :CN111721426A ,2020-09-29

[8]

热电堆传感器及其控制方法 [P].

王志特 ;

刘军涛 ;

舒洁芸 .

中国专利 :CN111721427A ,2020-09-29

[9]

集成CMOS电路的热电堆传感器系统及其制造方法 [P].

孙伟 ;

闻永祥 ;

刘琛 ;

李佳 .

中国专利 :CN112591706A ,2021-04-02

[10]

集成CMOS电路的热电堆传感器系统及其制造方法 [P].

孙伟 ;

闻永祥 ;

刘琛 ;

李佳 .

中国专利 :CN112591706B ,2024-02-23

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