制备中空二氧化硅颗粒的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97194022.3

申请日：

1997-04-22

公开(公告)号：

CN1082529C

公开(公告)日：

1999-05-12

发明(设计)人：

F·阿米切

申请人：

申请人地址：

法国库伯瓦

IPC主分类号：

C09C130

IPC分类号：

C01B3318 C08K336 D21H1768 D21H1940 C09D712 B01J2010 A61K716 A61K742 C04B1404

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王杰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-05-12	公开	公开
2002-04-10	授权	授权
1999-07-14	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2016-06-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101665090456 IPC(主分类):C09C 1/30 专利号:ZL971940223 申请日:19970422 授权公告日:20020410 终止日期:20150422

共 50 条

[1]

中空二氧化硅颗粒及中空二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

松原俊哉 ;

金贤枝 ;

片山肇 ;

荒井雄介 .

日本专利 :CN118145659A ,2024-06-07

[2]

中空二氧化硅颗粒及中空二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

松原俊哉 ;

金贤枝 ;

片山肇 ;

荒井雄介 .

日本专利 :CN115210179B ,2024-03-29

[3]

中空二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

神谷广幸 ;

金贤枝 ;

松原俊哉 .

中国专利 :CN111566047A ,2020-08-21

[4]

制备包括芯和二氧化硅壳的颗粒的方法 [P].

F·阿米切 .

中国专利 :CN1083866C ,1999-05-12

[5]

二氧化硅的制备方法 [P].

L·P·何 ;

R·拉曼 ;

D·玛施克 ;

J·雷讷 ;

A·胡斯玛彻 ;

C·普茨 ;

H·塔斯托 .

德国专利 :CN120081387A ,2025-06-03

[6]

二氧化硅颗粒以及二氧化硅颗粒的制备方法 [P].

奥野广良 ;

井上敏司 ;

饭田能史 ;

中岛与人 ;

钱谷优香 ;

惠利祥史 ;

角仓康夫 ;

师冈泰久 ;

野崎骏介 ;

岩永猛 ;

竹内荣 .

中国专利 :CN106517214A ,2017-03-22

[7]

二氧化硅颗粒的制备方法 [P].

M·祖赫 ;

G·舍茨 ;

A·朗纳 .

中国专利 :CN104271507A ,2015-01-07

[8]

纳米二氧化硅的制备方法 [P].

杨儒 ;

李敏 ;

张广延 ;

刘埃林 ;

孔建民 ;

汪英杰 ;

周立平 ;

钟后国 ;

沈军 .

中国专利 :CN1273382C ,2005-06-15

[9]

中空二氧化硅颗粒及其制造方法 [P].

加茂博道 ;

近藤雅史 ;

片山肇 .

日本专利 :CN115190867B ,2024-03-01

[10]

中空二氧化硅颗粒及其制造方法 [P].

加茂博道 ;

近藤雅史 ;

片山肇 .

日本专利 :CN118062853A ,2024-05-24

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