中空二氧化硅颗粒及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202180017437.4

申请日：

2021-02-22

公开(公告)号：

CN115190867B

公开(公告)日：

2024-03-01

发明(设计)人：

加茂博道近藤雅史片山肇

申请人：

AGC株式会社 AGC硅素技术株式会社

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C01B33/12

IPC分类号：

C01B33/193

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-01	授权	授权

共 50 条

[1]

中空二氧化硅颗粒及其制造方法 [P].

加茂博道 ;

近藤雅史 ;

片山肇 .

日本专利 :CN118062853A ,2024-05-24

[2]

中空二氧化硅颗粒及其制造方法 [P].

加茂博道 ;

片山肇 .

日本专利 :CN118317921A ,2024-07-09

[3]

中空二氧化硅颗粒及中空二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

松原俊哉 ;

金贤枝 ;

片山肇 ;

荒井雄介 .

日本专利 :CN118145659A ,2024-06-07

[4]

中空二氧化硅颗粒及中空二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

松原俊哉 ;

金贤枝 ;

片山肇 ;

荒井雄介 .

日本专利 :CN115210179B ,2024-03-29

[5]

中空二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

神谷广幸 ;

金贤枝 ;

松原俊哉 .

中国专利 :CN111566047A ,2020-08-21

[6]

中空二氧化硅粒子及其制造方法 [P].

星田浩树 .

中国专利 :CN109071239A ,2018-12-21

[7]

二氧化硅颗粒和二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

加藤怜实 ;

平野义宏 ;

木村将也 ;

河本宗范 ;

夫马康博 ;

三木万海 .

日本专利 :CN120035564A ,2025-05-23

[8]

二氧化硅颗粒及其制造方法 [P].

钱谷优香 ;

竹内荣 ;

佐佐木孝治 ;

惠利祥史 ;

持田麻衣 .

中国专利 :CN115124043A ,2022-09-30

[9]

二氧化硅颗粒及其制造方法 [P].

钱谷优香 ;

吉川英昭 ;

奥野広良 ;

野崎骏介 ;

川岛信一郎 ;

竹内荣 .

中国专利 :CN102295292B ,2011-12-28

[10]

二氧化硅颗粒及其制造方法 [P].

钱谷优香 ;

竹内荣 ;

佐佐木孝治 ;

惠利祥史 ;

持田麻衣 .

中国专利 :CN115124044A ,2022-09-30

← 1 2 3 4 5 →