中空二氧化硅粒子及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780019297.8

申请日：

2017-04-19

公开(公告)号：

CN109071239A

公开(公告)日：

2018-12-21

发明(设计)人：

星田浩树

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

C01B3318

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王永红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/18 申请日:20170419
2018-12-21	公开	公开
2020-07-31	授权	授权

共 50 条

[1]

中空二氧化硅粒子 [P].

藤冈正成 ;

福田健太郎 .

日本专利 :CN120936573A ,2025-11-11

[2]

中空二氧化硅粒子及其制备方法 [P].

马修·大卫·巴茨 ;

萨拉·伊丽莎白·吉诺维斯 ;

保罗·伯切尔·格拉泽 ;

达里尔·斯蒂芬·威廉姆斯 .

中国专利 :CN101282907A ,2008-10-08

[3]

中空二氧化硅颗粒及其制造方法 [P].

加茂博道 ;

近藤雅史 ;

片山肇 .

日本专利 :CN115190867B ,2024-03-01

[4]

中空二氧化硅颗粒及中空二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

松原俊哉 ;

金贤枝 ;

片山肇 ;

荒井雄介 .

日本专利 :CN118145659A ,2024-06-07

[5]

中空二氧化硅颗粒及其制造方法 [P].

加茂博道 ;

近藤雅史 ;

片山肇 .

日本专利 :CN118062853A ,2024-05-24

[6]

中空二氧化硅颗粒及其制造方法 [P].

加茂博道 ;

片山肇 .

日本专利 :CN118317921A ,2024-07-09

[7]

中空二氧化硅颗粒及中空二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

松原俊哉 ;

金贤枝 ;

片山肇 ;

荒井雄介 .

日本专利 :CN115210179B ,2024-03-29

[8]

中空二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

神谷广幸 ;

金贤枝 ;

松原俊哉 .

中国专利 :CN111566047A ,2020-08-21

[9]

中空二氧化硅粒子的分散液及其制造方法 [P].

林彰吾 ;

荒金宏忠 ;

村口良 .

日本专利 :CN118591507A ,2024-09-03

[10]

二氧化硅粒子及其制造方法 [P].

佐佐木孝治 ;

竹内栄 ;

銭谷优香 ;

恵利祥史 ;

持田麻衣 .

中国专利 :CN115124861A ,2022-09-30

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