光学半导体元件及其制造方法以及光学集成半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980028314.3

申请日：

2019-04-25

公开(公告)号：

CN112042069A

公开(公告)日：

2020-12-04

发明(设计)人：

渡边孝幸

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01S5227

IPC分类号：

H01S5026

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-04	公开	公开
2020-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/227 申请日:20190425

共 50 条

[1]

半导体光学元件及其制造方法 [P].

志贺俊彦 .

中国专利 :CN101119010A ,2008-02-06

[2]

半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P].

平尾直树 .

中国专利 :CN101887937A ,2010-11-17

[3]

半导体光学元件阵列及其制造方法 [P].

岸野克巳 ;

菊池昭彦 ;

关口宽人 .

中国专利 :CN102187479B ,2011-09-14

[4]

半导体元件及其制造方法 [P].

詹益旺 ;

童宇诚 ;

黄永泰 ;

林淯慈 ;

夏勇 .

中国专利 :CN112151447A ,2020-12-29

[5]

半导体元件及其制造方法 [P].

余振华 ;

邱文智 ;

吴文进 .

中国专利 :CN101299418B ,2008-11-05

[6]

半导体元件及其制造方法 [P].

G·涅姆采夫 ;

王晖 ;

郑荫平 ;

G·M·格利瓦纳 .

中国专利 :CN101425465A ,2009-05-06

[7]

半导体元件及其制造方法 [P].

詹益旺 ;

童宇诚 ;

黄永泰 ;

林淯慈 ;

夏勇 .

中国专利 :CN112151447B ,2024-05-28

[8]

半导体元件以及半导体元件制造方法 [P].

小林光 ;

长泽弘幸 ;

八田直记 ;

河原孝光 .

中国专利 :CN101919032A ,2010-12-15

[9]

半导体元件及其制造方法、以及半导体装置及其制造方法 [P].

町田信夫 .

中国专利 :CN114868231A ,2022-08-05

[10]

半导体衬底、半导体元件及其制造方法 [P].

高桥邦方 ;

内田正雄 ;

北畠真 ;

横川俊哉 ;

楠本修 ;

山下贤哉 ;

宫永良子 .

中国专利 :CN1260776C ,2003-04-30

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