功率器件终端结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911204755.2

申请日：

2019-11-29

公开(公告)号：

CN110729349A

公开(公告)日：

2020-01-24

发明(设计)人：

汪旭东王聪宋飞梁昕王珏陈政

申请人：

申请人地址：

312000 浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29739 H01L21331

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

黄丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-24	公开	公开
2021-08-24	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/06 变更事项:申请人变更前:中芯集成电路制造（绍兴）有限公司变更后:绍兴中芯集成电路制造股份有限公司变更事项:地址变更前:312000 浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号变更后:312000 浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号
2020-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20191129

共 50 条

[1]

功率器件及其形成方法 [P].

郑大燮 ;

刘博 .

中国专利 :CN106158626A ,2016-11-23

[2]

功率半导体器件及其形成方法 [P].

郑大燮 ;

刘博 ;

司徒道海 .

中国专利 :CN106158955A ,2016-11-23

[3]

超结功率器件及其形成方法 [P].

贾璐 ;

楼颖颖 ;

刘宪周 .

中国专利 :CN103413764A ,2013-11-27

[4]

功率器件的终端结构及其制造方法 [P].

王飞 .

中国专利 :CN105428396B ,2016-03-23

[5]

平面栅功率器件结构及其形成方法 [P].

杨彦涛 ;

邵凯 ;

向璐 ;

陈琛 ;

吕焕秀 .

中国专利 :CN106024595A ,2016-10-12

[6]

功率器件的终端结构、功率器件及其制造方法 [P].

陈天 ;

顾勇 ;

于绍欣 ;

张旭 ;

廖永亮 .

中国专利 :CN107452788A ,2017-12-08

[7]

功率MOSFET器件及其形成方法 [P].

唐昭焕 ;

吴罚 ;

朱克宝 ;

杨帆 .

中国专利 :CN111883494B ,2020-11-03

[8]

功率器件终端结构及其制作方法以及功率器件 [P].

黄宝伟 ;

肖秀光 .

中国专利 :CN111725292A ,2020-09-29

[9]

功率器件终端结构及其制作方法以及功率器件 [P].

黄宝伟 ;

肖秀光 .

中国专利 :CN111725292B ,2024-07-16

[10]

器件结构及其形成方法 [P].

朱晏良 ;

李泓儒 ;

王怡情 ;

曾国权 ;

黄国钦 ;

庄学理 .

中国专利 :CN120187036A ,2025-06-20

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