器件结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411893947.X

申请日：

2024-12-20

公开(公告)号：

CN120187036A

公开(公告)日：

2025-06-20

发明(设计)人：

朱晏良李泓儒王怡情曾国权黄国钦庄学理

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10B63/10

IPC分类号：

H10N70/20 H10N70/00

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-20	公开	公开
2025-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 63/10申请日:20241220

共 50 条

[1]

器件结构及其形成方法 [P].

陈志彬 ;

陈侠威 ;

朱文定 .

中国专利 :CN119486146A ,2025-02-18

[2]

存储器器件及其形成方法 [P].

石昇弘 ;

涂国基 ;

陈宛桢 ;

陈姿妤 ;

朱文定 .

中国专利 :CN119403131A ,2025-02-07

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘家助 ;

林立凯 .

中国专利 :CN120711805A ,2025-09-26

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

林经祥 ;

林耕竹 ;

郑双铭 ;

蔡腾群 ;

彭辞修 ;

颜甫庭 .

中国专利 :CN109599438B ,2019-04-09

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

闫华 .

中国专利 :CN112786525A ,2021-05-11

[6]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

詹景文 ;

黄昶智 ;

谢智仁 ;

王怡情 ;

曾国权 ;

黄国钦 ;

庄学理 .

中国专利 :CN121001345A ,2025-11-21

[7]

环栅器件结构及其形成方法 [P].

张丽杰 .

中国专利 :CN120343973A ,2025-07-18

[8]

鳍结构及其形成方法 [P].

张哲诚 ;

林志翰 ;

曾鸿辉 .

中国专利 :CN107689331B ,2018-02-13

[9]

功率半导体器件及其形成方法 [P].

郑大燮 ;

刘博 ;

司徒道海 .

中国专利 :CN106158955A ,2016-11-23

[10]

存储器单元、存储器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540114A ,2021-10-22

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