环栅器件结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311704360.5

申请日：

2023-12-12

公开(公告)号：

CN120343973A

公开(公告)日：

2025-07-18

发明(设计)人：

张丽杰

申请人：

北京知识产权运营管理有限公司

申请人地址：

100080 北京市海淀区海淀南路21号中关村知识产权大厦7层

IPC主分类号：

H10D84/85

IPC分类号：

H10D84/01

代理机构：

北京市一法律师事务所 11654

代理人：

刘荣娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市市辖区

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/85申请日:20231212
2025-07-18	公开	公开

共 50 条

[1]

器件结构及其形成方法 [P].

朱晏良 ;

李泓儒 ;

王怡情 ;

曾国权 ;

黄国钦 ;

庄学理 .

中国专利 :CN120187036A ,2025-06-20

[2]

环栅MOSFET及其形成方法 [P].

张海洋 ;

王彦 .

中国专利 :CN107039509A ,2017-08-11

[3]

CMOS器件叠层栅形成方法及其结构 [P].

陈世杰 ;

王文武 ;

王晓磊 ;

韩锴 .

中国专利 :CN102074574A ,2011-05-25

[4]

高K电介质金属栅器件结构及其形成方法 [P].

曾伟雄 ;

林纲正 ;

杨知一 ;

黄国泰 ;

陈嘉仁 .

中国专利 :CN101425479A ,2009-05-06

[5]

多栅器件及其形成方法 [P].

乔治奥斯·韦理安尼堤斯 ;

布兰丁·迪里耶 .

中国专利 :CN113394216A ,2021-09-14

[6]

多栅器件及其形成方法 [P].

乔治奥斯·韦理安尼堤斯 ;

布兰丁·迪里耶 .

中国专利 :CN113394216B ,2024-12-24

[7]

分离栅存储器件及其形成方法 [P].

周儒领 ;

詹奕鹏 .

中国专利 :CN104821318A ,2015-08-05

[8]

多栅器件的形成方法 [P].

殷华湘 ;

徐秋霞 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN102856181B ,2013-01-02

[9]

多栅器件的形成方法 [P].

殷华湘 ;

徐秋霞 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN102856205B ,2013-01-02

[10]

电熔丝结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN104241246B ,2014-12-24

← 1 2 3 4 5 →