多栅器件的形成方法

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专利类型
发明
申请号
CN201110182408.1
申请日
2011-06-30
公开(公告)号
CN102856205B
公开(公告)日
2013-01-02
发明(设计)人
殷华湘 徐秋霞 陈大鹏
申请人
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
骆苏华
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
多栅器件的形成方法 [P]. 
殷华湘 ;
徐秋霞 ;
陈大鹏 .
中国专利 :CN102856181B ,2013-01-02
[2]
多栅器件的形成方法 [P]. 
三重野文健 .
中国专利 :CN103000505B ,2013-03-27
[3]
多栅器件的形成方法 [P]. 
三重野文健 .
中国专利 :CN103000527A ,2013-03-27
[4]
多栅器件及其形成方法 [P]. 
乔治奥斯·韦理安尼堤斯 ;
布兰丁·迪里耶 .
中国专利 :CN113394216A ,2021-09-14
[5]
多栅器件及其形成方法 [P]. 
乔治奥斯·韦理安尼堤斯 ;
布兰丁·迪里耶 .
中国专利 :CN113394216B ,2024-12-24
[6]
分立栅存储器件的形成方法 [P]. 
李勇 ;
刘艳 ;
周儒领 ;
黄淇生 .
中国专利 :CN102044497A ,2011-05-04
[7]
分立栅存储器件的形成方法 [P]. 
李凤莲 ;
洪中山 ;
何其旸 .
中国专利 :CN102263064A ,2011-11-30
[8]
分立栅存储器件的形成方法 [P]. 
李勇 ;
刘艳 ;
周儒领 ;
黄淇生 .
中国专利 :CN102044498A ,2011-05-04
[9]
环栅器件结构及其形成方法 [P]. 
张丽杰 .
中国专利 :CN120343973A ,2025-07-18
[10]
栅氧的形成方法 [P]. 
成鑫华 ;
尹俊 .
中国专利 :CN114068317A ,2022-02-18