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多栅器件的形成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201110182408.1
申请日
:
2011-06-30
公开(公告)号
:
CN102856205B
公开(公告)日
:
2013-01-02
发明(设计)人
:
殷华湘
徐秋霞
陈大鹏
申请人
:
申请人地址
:
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号
:
H01L21336
IPC分类号
:
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
骆苏华
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2013-01-02
公开
公开
2014-06-04
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582556938 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011101824081 申请日:20110630
2017-02-01
授权
授权
共 50 条
[1]
多栅器件的形成方法
[P].
殷华湘
论文数:
0
引用数:
0
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0
殷华湘
;
徐秋霞
论文数:
0
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0
徐秋霞
;
陈大鹏
论文数:
0
引用数:
0
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0
陈大鹏
.
中国专利
:CN102856181B
,2013-01-02
[2]
多栅器件的形成方法
[P].
三重野文健
论文数:
0
引用数:
0
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0
三重野文健
.
中国专利
:CN103000505B
,2013-03-27
[3]
多栅器件的形成方法
[P].
三重野文健
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
三重野文健
.
中国专利
:CN103000527A
,2013-03-27
[4]
多栅器件及其形成方法
[P].
乔治奥斯·韦理安尼堤斯
论文数:
0
引用数:
0
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0
乔治奥斯·韦理安尼堤斯
;
布兰丁·迪里耶
论文数:
0
引用数:
0
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0
布兰丁·迪里耶
.
中国专利
:CN113394216A
,2021-09-14
[5]
多栅器件及其形成方法
[P].
乔治奥斯·韦理安尼堤斯
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
乔治奥斯·韦理安尼堤斯
;
布兰丁·迪里耶
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
布兰丁·迪里耶
.
中国专利
:CN113394216B
,2024-12-24
[6]
分立栅存储器件的形成方法
[P].
李勇
论文数:
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0
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李勇
;
刘艳
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刘艳
;
周儒领
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0
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0
周儒领
;
黄淇生
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0
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0
黄淇生
.
中国专利
:CN102044497A
,2011-05-04
[7]
分立栅存储器件的形成方法
[P].
李凤莲
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0
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李凤莲
;
洪中山
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洪中山
;
何其旸
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0
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0
何其旸
.
中国专利
:CN102263064A
,2011-11-30
[8]
分立栅存储器件的形成方法
[P].
李勇
论文数:
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李勇
;
刘艳
论文数:
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刘艳
;
周儒领
论文数:
0
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周儒领
;
黄淇生
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0
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0
黄淇生
.
中国专利
:CN102044498A
,2011-05-04
[9]
环栅器件结构及其形成方法
[P].
张丽杰
论文数:
0
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0
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0
机构:
北京知识产权运营管理有限公司
北京知识产权运营管理有限公司
张丽杰
.
中国专利
:CN120343973A
,2025-07-18
[10]
栅氧的形成方法
[P].
成鑫华
论文数:
0
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0
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成鑫华
;
尹俊
论文数:
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0
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0
尹俊
.
中国专利
:CN114068317A
,2022-02-18
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