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多栅器件及其形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110602005.1
申请日：
2021-05-31
公开(公告)号：
CN113394216A
公开(公告)日：
2021-09-14
发明(设计)人：
乔治奥斯·韦理安尼堤斯 布兰丁·迪里耶
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹
IPC主分类号：
H01L27088
IPC分类号：
H01L27092 H01L218234 H01L218238
代理机构：
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人：
章社杲;李伟
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-09-14 公开 公开
共 50 条
[1]
多栅器件及其形成方法 [P]. 
乔治奥斯·韦理安尼堤斯 ;
布兰丁·迪里耶 .
中国专利 :CN113394216B ,2024-12-24
[2]
多栅器件的形成方法 [P]. 
三重野文健 .
中国专利 :CN103000505B ,2013-03-27
[3]
多栅器件的形成方法 [P]. 
三重野文健 .
中国专利 :CN103000527A ,2013-03-27
[4]
多栅器件的形成方法 [P]. 
殷华湘 ;
徐秋霞 ;
陈大鹏 .
中国专利 :CN102856181B ,2013-01-02
[5]
多栅器件的形成方法 [P]. 
殷华湘 ;
徐秋霞 ;
陈大鹏 .
中国专利 :CN102856205B ,2013-01-02
[6]
环栅器件结构及其形成方法 [P]. 
张丽杰 .
中国专利 :CN120343973A ,2025-07-18
[7]
高K金属栅CMOS器件及其形成方法 [P]. 
库尔班·阿吾提 .
中国专利 :CN105448831A ,2016-03-30
[8]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
王楠 .
中国专利 :CN111816555A ,2020-10-23
[9]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
蔡育霖 ;
李冠霆 ;
李华芸 ;
廖亚威 ;
殷立钊 ;
曹修豪 ;
魏安祺 ;
陈嘉仁 .
中国专利 :CN121078761A ,2025-12-05
[10]
多栅极器件及其形成方法 [P]. 
朱熙甯 ;
江国诚 ;
潘冠廷 ;
林志昌 ;
王志豪 ;
陈仕承 .
中国专利 :CN113594157B ,2024-09-06
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