具有增加的沟道面积的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910178583.6

申请日：

2007-03-27

公开(公告)号：

CN101673767A

公开(公告)日：

2010-03-17

发明(设计)人：

赵俊熙

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L29423 H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

顾晋伟;王春伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-04-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001371468 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2009101785836 申请日:20070327
2012-05-30	授权	授权
2010-03-17	公开	公开
2015-05-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101609891244 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2009101785836 申请日:20070327 授权公告日:20120530 终止日期:20140327

共 50 条

[1]

具有增加的沟道面积的半导体器件及其制造方法 [P].

赵俊熙 .

中国专利 :CN101047206A ,2007-10-03

[2]

具有增加的沟道长度的半导体器件及其制造方法 [P].

赵俊熙 .

中国专利 :CN1841749A ,2006-10-04

[3]

具有垂直沟道的半导体器件及其制造方法 [P].

金龙成 ;

郑泰荣 ;

申树浩 .

中国专利 :CN1897255B ,2007-01-17

[4]

具有垂直沟道的半导体器件及其制造方法 [P].

尹在万 ;

金奉秀 ;

徐亨源 ;

李康润 .

中国专利 :CN101017825A ,2007-08-15

[5]

具有增加的有效沟道长度的半导体器件的制造方法 [P].

郑弘植 ;

金奇南 ;

黄有商 .

中国专利 :CN100428442C ,2003-11-26

[6]

具有垂直沟道结构的半导体器件及其制造方法 [P].

李昌炫 ;

朴镇泽 ;

朴泳雨 .

中国专利 :CN110600479A ,2019-12-20

[7]

具有双沟道的半导体器件、互补半导体器件及其制造方法 [P].

林易钟 ;

蒋振劼 ;

郑志成 .

中国专利 :CN107134494A ,2017-09-05

[8]

具有垂直沟道的半导体器件及其制造方法 [P].

朴星一 ;

刘庭均 ;

李东勳 ;

李允逸 .

中国专利 :CN109494220A ,2019-03-19

[9]

制造具有凹槽沟道结构的半导体器件的方法 [P].

金虎雄 .

中国专利 :CN1713361A ,2005-12-28

[10]

具有球型凹陷沟道的半导体器件及其制造方法 [P].

金龙水 ;

梁洪善 ;

张世亿 ;

皮升浩 ;

洪权 ;

赵兴在 ;

林宽容 ;

成敏圭 ;

李升龙 ;

金泰润 .

中国专利 :CN101154580A ,2008-04-02

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