具有增加的有效沟道长度的半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03123469.0

申请日：

2003-05-14

公开(公告)号：

CN100428442C

公开(公告)日：

2003-11-26

发明(设计)人：

郑弘植金奇南黄有商

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01L2182

IPC分类号：

H01L218242 H01L21336 H01L21311

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

谢丽娜;谷惠敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2016-06-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101668942749 IPC(主分类):H01L 21/82 专利号:ZL031234690 申请日:20030514 授权公告日:20081022 终止日期:20150514
2003-11-26	公开	公开
2008-10-22	授权	授权

共 50 条

[1]

具有增加的沟道长度的半导体器件及其制造方法 [P].

赵俊熙 .

中国专利 :CN1841749A ,2006-10-04

[2]

缩短沟道长度的半导体器件 [P].

熊谷浩一 .

中国专利 :CN1198018A ,1998-11-04

[3]

半导体器件中不同沟道长度的晶体管形成方法 [P].

申靖浩 ;

李俊杰 ;

周娜 .

中国专利 :CN114628326A ,2022-06-14

[4]

具有增加的沟道面积的半导体器件及其制造方法 [P].

赵俊熙 .

中国专利 :CN101047206A ,2007-10-03

[5]

具有增加的沟道面积的半导体器件及其制造方法 [P].

赵俊熙 .

中国专利 :CN101673767A ,2010-03-17

[6]

具有垂直沟道的半导体器件及其制造方法 [P].

金龙成 ;

郑泰荣 ;

申树浩 .

中国专利 :CN1897255B ,2007-01-17

[7]

具有垂直沟道的半导体器件及其制造方法 [P].

尹在万 ;

金奉秀 ;

徐亨源 ;

李康润 .

中国专利 :CN101017825A ,2007-08-15

[8]

包括沟道层的半导体器件的制造方法 [P].

林钟欣 ;

洪昌基 ;

尹普彦 ;

尹煋圭 ;

崔锡宪 ;

韩相晔 .

中国专利 :CN101256960A ,2008-09-03

[9]

半导体器件沟道的制作方法、半导体器件及其制造方法 [P].

余自强 .

中国专利 :CN110265358B ,2019-09-20

[10]

具有垂直沟道晶体管的半导体器件的制造方法 [P].

曹祥薰 .

中国专利 :CN101471304B ,2009-07-01

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