缩短沟道长度的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98100990.5

申请日：

1998-03-31

公开(公告)号：

CN1198018A

公开(公告)日：

1998-11-04

发明(设计)人：

熊谷浩一

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

H01L29768

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

中科专利代理有限责任公司

代理人：

卢纪

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-06-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
1998-08-05	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1998-11-04	公开	公开

共 50 条

[1]

具有增加的有效沟道长度的半导体器件的制造方法 [P].

郑弘植 ;

金奇南 ;

黄有商 .

中国专利 :CN100428442C ,2003-11-26

[2]

半导体器件中不同沟道长度的晶体管形成方法 [P].

申靖浩 ;

李俊杰 ;

周娜 .

中国专利 :CN114628326A ,2022-06-14

[3]

具有增加的沟道长度的半导体器件及其制造方法 [P].

赵俊熙 .

中国专利 :CN1841749A ,2006-10-04

[4]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

木城耕一 .

中国专利 :CN1862790A ,2006-11-15

[5]

具有缩短沟道长度和高Vth的SiC MOSFET [P].

大卫·谢里登 ;

阿拉什·萨莱米 ;

马督尔·博德 .

中国专利 :CN114944338A ,2022-08-26

[6]

混合沟道半导体器件 [P].

尹海洲 ;

朱慧珑 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN202601603U ,2012-12-12

[7]

半导体器件 [P].

君塚直彦 ;

今井清隆 ;

益冈有里 ;

岩本敏幸 ;

西藤哲史 ;

渡边启仁 ;

多田鲇香 .

中国专利 :CN100388496C ,2005-11-30

[8]

半导体器件 [P].

闲野义则 .

中国专利 :CN1862821B ,2006-11-15

[9]

具有多沟道的半导体器件 [P].

李正允 ;

梁光容 ;

慎居明 ;

郑显秀 ;

李庸硕 .

中国专利 :CN107017295A ,2017-08-04

[10]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

甲斐徹哉 ;

笠井良夫 ;

角田弘昭 ;

萩原裕之 ;

小林英行 .

中国专利 :CN1330393A ,2002-01-09

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