一种晶体硅太阳电池的硼扩散背钝化工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910977470.6

申请日：

2019-10-12

公开(公告)号：

CN110993722A

公开(公告)日：

2020-04-10

发明(设计)人：

刘进王丽郝延蔚孙瑞敏周永恒师兆忠赵辉

申请人：

申请人地址：

475004 河南省开封市东京大道开封大学

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L310236

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-10	公开	公开
2020-05-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20191012

共 50 条

[1]

晶体硅太阳电池背钝化工艺及其结构 [P].

王书博 ;

邓伟伟 .

中国专利 :CN102376821A ,2012-03-14

[2]

一种N型晶体硅太阳电池的硼扩散工艺 [P].

刘进 ;

王丽 ;

郝延蔚 ;

赵辉 .

中国专利 :CN109559982A ,2019-04-02

[3]

用于P型晶体硅太阳能电池硼扩散背钝化工艺 [P].

房强 ;

张华灿 ;

王军 ;

赵钊 ;

韩传龙 .

中国专利 :CN109860312A ,2019-06-07

[4]

晶体硅太阳电池背电极 [P].

周之斌 ;

刘阳 ;

丁开顺 ;

汪甡杰 ;

方超 ;

马玉锋 ;

方健 ;

杨健 .

中国专利 :CN201966217U ,2011-09-07

[5]

一种背结背接触晶体硅太阳电池的硼扩散工艺 [P].

李海波 ;

董经兵 ;

刘仁中 ;

张斌 ;

邢国强 .

中国专利 :CN103646993A ,2014-03-19

[6]

晶体硅太阳电池 [P].

邹凯 ;

和江变 ;

周国华 ;

马承鸿 ;

李健 .

中国专利 :CN205376542U ,2016-07-06

[7]

高效多晶硅太阳电池的背场钝化工艺 [P].

王红红 ;

冯强 ;

梁兴芳 ;

王步峰 .

中国专利 :CN102945896A ,2013-02-27

[8]

一种多晶硅太阳电池的背场钝化工艺 [P].

林宝剑 ;

谢毅 ;

唐亮 ;

程寅亮 ;

关振华 .

中国专利 :CN107819041A ,2018-03-20

[9]

一种晶体硅太阳电池 [P].

黄钦 ;

王平 ;

李晓华 .

中国专利 :CN202120925U ,2012-01-18

[10]

晶体硅太阳电池片 [P].

贾河顺 ;

姜言森 ;

程亮 ;

任现坤 ;

张春艳 ;

孙继峰 ;

马继磊 ;

徐振华 ;

李钢 .

中国专利 :CN302510444S ,2013-07-24

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