用于P型晶体硅太阳能电池硼扩散背钝化工艺

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811428190.1
申请日
2018-11-27
公开(公告)号
CN109860312A
公开(公告)日
2019-06-07
发明(设计)人
房强 张华灿 王军 赵钊 韩传龙
申请人
申请人地址
101102 北京市通州区中关村科技园通州园金桥科技产业基地景盛南四街19号
IPC主分类号
H01L310216
IPC分类号
H01L3118 H01L21228
代理机构
北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369
代理人
史霞
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种P型晶体硅太阳能电池的钝化层及其钝化工艺 [P]. 
李爱丽 ;
刘吉人 ;
万资仁 ;
唐维泰 ;
余钦章 ;
李文艳 ;
罗伟 ;
潘若宏 ;
张志红 .
中国专利 :CN103746007A ,2014-04-23
[2]
一种晶体硅太阳电池的硼扩散背钝化工艺 [P]. 
刘进 ;
王丽 ;
郝延蔚 ;
孙瑞敏 ;
周永恒 ;
师兆忠 ;
赵辉 .
中国专利 :CN110993722A ,2020-04-10
[3]
晶体硅太阳能电池的硼扩散方法 [P]. 
殷涵玉 ;
王栩生 ;
章灵军 .
中国专利 :CN102766908A ,2012-11-07
[4]
一种晶体硅太阳能电池的表面钝化工艺 [P]. 
陈健生 ;
赵锋 ;
徐君 ;
包大新 ;
董方 .
中国专利 :CN105374899A ,2016-03-02
[5]
一种晶体硅太阳能电池的钝化层及其钝化工艺 [P]. 
李文艳 ;
刘吉人 ;
万资仁 ;
唐维泰 ;
余钦章 ;
李爱丽 ;
罗伟 ;
潘若宏 ;
张志红 .
中国专利 :CN103746006A ,2014-04-23
[6]
PERC太阳能电池高效背钝化工艺 [P]. 
缪强 ;
蒋红彬 ;
常宇峰 ;
于亚春 ;
庞国峰 .
中国专利 :CN113809204A ,2021-12-17
[7]
晶体硅太阳能电池的背钝化方法及晶体硅太阳能电池的制备方法 [P]. 
廖辉 ;
梁杭伟 ;
祁嘉铭 ;
叶雄新 ;
孙小菩 ;
彭华 ;
罗静 .
中国专利 :CN103746039A ,2014-04-23
[8]
晶体硅太阳电池背钝化工艺及其结构 [P]. 
王书博 ;
邓伟伟 .
中国专利 :CN102376821A ,2012-03-14
[9]
多晶太阳能电池背部钝化工艺 [P]. 
刘进 ;
董建明 ;
张之栋 ;
崔龙辉 .
中国专利 :CN105140348B ,2015-12-09
[10]
晶体硅太阳能电池扩散炉 [P]. 
焦云峰 ;
黄强 ;
张军 ;
陈亮 ;
盛键 .
中国专利 :CN201408773Y ,2010-02-17