一种P型晶体硅太阳能电池的钝化层及其钝化工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410031066.7

申请日：

2014-01-23

公开(公告)号：

CN103746007A

公开(公告)日：

2014-04-23

发明(设计)人：

李爱丽刘吉人万资仁唐维泰余钦章李文艳罗伟潘若宏张志红

申请人：

申请人地址：

265500 山东省烟台市福山区英特尔大道22号

IPC主分类号：

H01L310216

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

烟台双联专利事务所(普通合伙) 37225

代理人：

梁翠荣

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101737361044 IPC(主分类):H01L 31/0216 专利申请号:2014100310667 申请公布日:20140423
2014-04-23	公开	公开
2014-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582386303 IPC(主分类):H01L 31/0216 专利申请号:2014100310667 申请日:20140123

共 50 条

[1]

一种晶体硅太阳能电池的钝化层及其钝化工艺 [P].

李文艳 ;

刘吉人 ;

万资仁 ;

唐维泰 ;

余钦章 ;

李爱丽 ;

罗伟 ;

潘若宏 ;

张志红 .

中国专利 :CN103746006A ,2014-04-23

[2]

用于P型晶体硅太阳能电池硼扩散背钝化工艺 [P].

房强 ;

张华灿 ;

王军 ;

赵钊 ;

韩传龙 .

中国专利 :CN109860312A ,2019-06-07

[3]

一种晶体硅太阳能电池的表面钝化工艺 [P].

陈健生 ;

赵锋 ;

徐君 ;

包大新 ;

董方 .

中国专利 :CN105374899A ,2016-03-02

[4]

晶体硅太阳能电池钝化层、制备方法及其在晶体硅太阳能电池中的应用 [P].

张旭宁 ;

赵梓琦 ;

陈剑辉 ;

李文恒 .

中国专利 :CN119730478A ,2025-03-28

[5]

晶体硅太阳能电池及其钝化方法 [P].

李广 .

中国专利 :CN102169924A ,2011-08-31

[6]

晶体硅太阳能电池钝化层及其制备方法、电池 [P].

杨浩成 ;

洪剑波 ;

田得雨 ;

王永谦 ;

陈刚 .

中国专利 :CN113161448A ,2021-07-23

[7]

晶体硅太阳能电池钝化层及其制备方法、电池 [P].

习冬勇 ;

福井健次 ;

应小卡 ;

夏吉东 ;

陈刚 .

中国专利 :CN113224179A ,2021-08-06

[8]

一种晶硅太阳能电池表面钝化工艺 [P].

任现坤 ;

杨晓君 ;

仲伟佳 ;

葛永见 ;

曹振 ;

郭瑞静 ;

陈冲 .

中国专利 :CN112563372B ,2021-03-26

[9]

晶体硅太阳能电池钝化膜 [P].

吴国强 .

中国专利 :CN201655813U ,2010-11-24

[10]

体钝化的晶体硅太阳能电池及其体钝化方法 [P].

陈奕峰 ;

崔艳峰 ;

王子港 ;

丁志强 ;

顾卫龙 ;

张荣 ;

冯志强 ;

皮尔·雅各·威灵顿 .

中国专利 :CN104600137B ,2015-05-06

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