使用电极气密密封的高可靠性半导体装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200510097621.7
申请日
2005-08-30
公开(公告)号
CN1744304A
公开(公告)日
2006-03-08
发明(设计)人
须贺唯知 伊藤寿浩
申请人
申请人地址
日本大阪市
IPC主分类号
H01L2331
IPC分类号
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
浦柏明;叶恺东
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
高可靠性电力半导体封装结构 [P]. 
许海东 .
中国专利 :CN209544333U ,2019-10-25
[2]
高可靠性半导体封装件设计 [P]. 
托马斯·施潘 .
美国专利 :CN117393518A ,2024-01-12
[3]
高可靠性玻璃钝化半导体设备 [P]. 
李学良 ;
西里奥·艾·珀里亚科夫 .
中国专利 :CN106298593A ,2017-01-04
[4]
用于提高可靠性的半导体封装 [P]. 
尹汝勋 ;
张衡善 .
中国专利 :CN114093828A ,2022-02-25
[5]
高可靠性半导体整流器件 [P]. 
钱淼 ;
李飞帆 ;
邱显羣 .
中国专利 :CN216413064U ,2022-04-29
[6]
具有高可靠性的半导体封装件 [P]. 
黄智焕 ;
朴商植 ;
闵台洪 ;
南杰 .
中国专利 :CN107104081B ,2017-08-29
[7]
用于提高可靠性的半导体封装 [P]. 
尹汝勋 ;
张衡善 .
韩国专利 :CN114093828B ,2025-02-18
[8]
高可靠性金合金接合线及半导体装置 [P]. 
村井博 ;
千叶淳 ;
天田富士夫 .
中国专利 :CN101663743A ,2010-03-03
[9]
具有高可靠性的可合并半导体器件 [P]. 
张志宏 ;
D·J·布劳姆伯格 ;
杨洪宁 ;
左江凯 .
中国专利 :CN104518031A ,2015-04-15
[10]
高可靠性超结功率半导体结构 [P]. 
朱袁正 ;
周锦程 ;
李宗清 .
中国专利 :CN212303677U ,2021-01-05