具有高可靠性的可合并半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410484766.1

申请日：

2014-09-22

公开(公告)号：

CN104518031A

公开(公告)日：

2015-04-15

发明(设计)人：

张志宏 D·J·布劳姆伯格杨洪宁左江凯

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L2906

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

秦晨

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-21	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/78 变更事项:申请人变更前:飞思卡尔半导体公司变更后:恩智浦美国有限公司变更事项:地址变更前:美国得克萨斯变更后:美国得克萨斯
2019-04-09	授权	授权
2016-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101686078467 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014104847661 申请日:20140922
2015-04-15	公开	公开

共 50 条

[1]

高可靠性半导体器件 [P].

唐兴军 ;

王亚 .

中国专利 :CN211957635U ,2020-11-17

[2]

高可靠性半导体器件 [P].

张雄杰 ;

何洪运 ;

程琳 .

中国专利 :CN106409804A ,2017-02-15

[3]

高可靠性耗尽型功率半导体器件 [P].

叶俊 ;

张邵华 .

中国专利 :CN203013735U ,2013-06-19

[4]

高可靠性整流半导体器件 [P].

李飞帆 ;

张屹 .

中国专利 :CN207199600U ,2018-04-06

[5]

高可靠性整流半导体器件 [P].

李飞帆 ;

张屹 .

中国专利 :CN107492530A ,2017-12-19

[6]

具有高可靠性的半导体封装件 [P].

黄智焕 ;

朴商植 ;

闵台洪 ;

南杰 .

中国专利 :CN107104081B ,2017-08-29

[7]

高可靠性半导体器件加工设备 [P].

曹华文 .

中国专利 :CN222623887U ,2025-03-18

[8]

高可靠性半导体整流器件 [P].

钱淼 ;

李飞帆 ;

邱显羣 .

中国专利 :CN216413064U ,2022-04-29

[9]

高可靠性半导体器件封装结构 [P].

彭兴义 .

中国专利 :CN210325753U ,2020-04-14

[10]

具有高可靠性的半导体器件及其制造方法 [P].

押田大介 ;

竹胁利至 ;

横川慎二 .

中国专利 :CN101494215A ,2009-07-29

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