高可靠性半导体器件封装结构

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201921099964.0
申请日
2019-07-12
公开(公告)号
CN210325753U
公开(公告)日
2020-04-14
发明(设计)人
彭兴义
申请人
申请人地址
224100 江苏省盐城市大丰区新丰镇梦想大道8号
IPC主分类号
H01L2331
IPC分类号
H01L23495
代理机构
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103
代理人
王健
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
高可靠性半导体器件 [P]. 
唐兴军 ;
王亚 .
中国专利 :CN211957635U ,2020-11-17
[2]
高可靠性电力半导体封装结构 [P]. 
许海东 .
中国专利 :CN209544333U ,2019-10-25
[3]
高可靠性整流半导体器件 [P]. 
李飞帆 ;
张屹 .
中国专利 :CN207199600U ,2018-04-06
[4]
高可靠性半导体器件 [P]. 
张雄杰 ;
何洪运 ;
程琳 .
中国专利 :CN106409804A ,2017-02-15
[5]
用于提高可靠性的半导体器件封装 [P]. 
珍妮特·帕特森 .
中国专利 :CN101345238A ,2009-01-14
[6]
用于提高可靠性的半导体器件封装 [P]. 
珍妮特·帕特森 .
中国专利 :CN1823561A ,2006-08-23
[7]
高可靠性半导体器件加工设备 [P]. 
曹华文 .
中国专利 :CN222623887U ,2025-03-18
[8]
高可靠性整流半导体器件 [P]. 
李飞帆 ;
张屹 .
中国专利 :CN107492530A ,2017-12-19
[9]
模塑环氧封装高可靠性半导体器件 [P]. 
谢可勋 ;
西里奥﹒艾﹒珀里亚科夫 .
中国专利 :CN110911289B ,2020-03-24
[10]
模塑环氧封装高可靠性半导体器件 [P]. 
谢可勋 ;
西里奥·艾·珀里亚科夫 .
中国专利 :CN108717937A ,2018-10-30