制备氮化硅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710046494.7

申请日：

2007-09-26

公开(公告)号：

CN101397130A

公开(公告)日：

2009-04-01

发明(设计)人：

罗栋关英来王杨秦国强

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

C01B21068

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-11-10	授权	授权
2009-04-01	公开	公开
2019-09-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 21/068 申请日:20070926 授权公告日:20101110 终止日期:20180926
2009-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

氮化硅的制备方法 [P].

朱青松 ;

何文 ;

董占美 ;

王佳军 ;

年夫雪 .

中国专利 :CN108285132B ,2018-07-17

[2]

氮化硅陶瓷基板的制备方法、氮化硅陶瓷基板 [P].

杨晓冬 ;

冼锐炜 .

中国专利 :CN120349192A ,2025-07-22

[3]

氮化硅粉体及其制备方法、氮化硅陶瓷 [P].

韩召 ;

刘鹏飞 ;

郗威 ;

吴六顺 .

中国专利 :CN118420356A ,2024-08-02

[4]

氮化硅陶瓷的制备方法 [P].

何东 ;

张天宇 ;

宋晓超 ;

张天舒 .

中国专利 :CN106866154A ,2017-06-20

[5]

氮化硅陶瓷的制备方法 [P].

高礼文 ;

樊震坤 ;

许业静 ;

刘天程 ;

范勇 ;

刘宝英 ;

刘德军 .

中国专利 :CN101555141A ,2009-10-14

[6]

氮化硅膜的制备方法 [P].

刘骏秋 ;

叶志超 ;

贾海燕 ;

黄张君 .

中国专利 :CN117431525A ,2024-01-23

[7]

氮化硅薄膜的制备方法 [P].

李展信 .

中国专利 :CN103924212A ,2014-07-16

[8]

氮化硅陶瓷的制备方法 [P].

玄伟东 ;

任忠鸣 ;

赵登科 ;

刘利俊 ;

兰健 ;

李传军 .

中国专利 :CN107673765A ,2018-02-09

[9]

氮化硅薄膜的制备方法 [P].

尹勇 .

中国专利 :CN110473768A ,2019-11-19

[10]

制备氮化硅膜的方法 [P].

C·迪萨拉 ;

J－M·吉拉尔 ;

木村孝子 .

中国专利 :CN101006195A ,2007-07-25

← 1 2 3 4 5 →