一种纳米CuInS2的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010235002.0

申请日：

2010-07-23

公开(公告)号：

CN101885509B

公开(公告)日：

2010-11-17

发明(设计)人：

武四新陈星庞山

申请人：

申请人地址：

475001 河南省开封市明伦街85号

IPC主分类号：

C01G1500

IPC分类号：

代理机构：

郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104

代理人：

刘建芳

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-09-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101678545831 IPC(主分类):C01G 15/00 专利号:ZL2010102350020 申请日:20100723 授权公告日:20130109 终止日期:20150723
2010-12-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101028084594 IPC(主分类):C01G 15/00 专利申请号:2010102350020 申请日:20100723
2013-01-09	授权	授权
2010-11-17	公开	公开

共 50 条

[1]

一种制备ZnO/CuInS2核壳结构纳米棒薄膜的方法 [P].

刘志锋 ;

李亚彬 ;

雅菁 .

中国专利 :CN103000381B ,2013-03-27

[2]

一种CuInS2薄膜及其制备工艺 [P].

卢琳 ;

王艳杰 ;

刘天成 ;

刘迎春 ;

张达威 ;

李晓刚 .

中国专利 :CN111485266A ,2020-08-04

[3]

一种表面活性剂改性的CuInS2纳米晶体的制备方法 [P].

高延敏 ;

赵琴 ;

冯清 .

中国专利 :CN102887538B ,2013-01-23

[4]

一种制备中空太阳能吸收材料CuInS2的方法 [P].

宰建陶 ;

钱雪峰 ;

陈虹锦 ;

黄崇文 ;

徐淼 ;

沈杰 ;

肖映林 ;

韩倩琰 ;

李波 .

中国专利 :CN102557116A ,2012-07-11

[5]

纤锌矿结构CuInS2量子点及其制备方法 [P].

韩士奎 ;

王命泰 ;

岳文瑾 .

中国专利 :CN102531042A ,2012-07-04

[6]

一种石墨烯‑CuInS2纳米复合光催化剂 [P].

邓芳 ;

卢晓英 ;

刘玲玲 ;

夏佰慧 ;

丁琳 ;

罗旭彪 ;

罗胜联 .

中国专利 :CN107552072A ,2018-01-09

[7]

单分散三元硫化物CuInS2的制备方法 [P].

杜卫民 ;

钱雪峰 .

中国专利 :CN101054198A ,2007-10-17

[8]

一种石墨烯-CuInS2量子点复合物及其制备方法 [P].

高锋 ;

王命泰 ;

岳文瑾 .

中国专利 :CN102965105B ,2013-03-13

[9]

基于薄铜片衬底的柔性CuInS2太阳能电池的制备方法 [P].

胡俊青 ;

唐明华 ;

陈志钢 ;

田启威 ;

胡向华 .

中国专利 :CN102185021A ,2011-09-14

[10]

闪锌矿结构和纤锌矿结构CuInS2量子点及其制备方法 [P].

韩士奎 ;

王命泰 ;

岳文瑾 .

中国专利 :CN101805014B ,2010-08-18

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