一种制备中空太阳能吸收材料CuInS2的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110397191.6

申请日：

2011-12-02

公开(公告)号：

CN102557116A

公开(公告)日：

2012-07-11

发明(设计)人：

宰建陶钱雪峰陈虹锦黄崇文徐淼沈杰肖映林韩倩琰李波

申请人：

申请人地址：

200240 上海市闵行区东川路800号

IPC主分类号：

C01G1900

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

上海科盛知识产权代理有限公司 31225

代理人：

叶敏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101324735175 IPC(主分类):C01G 19/00 专利申请号:2011103971916 申请日:20111202
2012-07-11	公开	公开
2018-01-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01G 19/00 申请日:20111202 授权公告日:20140820 终止日期:20161202
2014-08-20	授权	授权

共 50 条

[1]

三维蜂窝状CuInS2纳米线阵列太阳能吸收材料制备方法 [P].

苏言杰 ;

李明 ;

张亚非 ;

胡敬 .

中国专利 :CN105084416A ,2015-11-25

[2]

CuInS2薄膜太阳能电池吸收层的制备方法 [P].

李丽波 ;

李琦 ;

王华林 ;

徐妍 .

中国专利 :CN103531663B ,2014-01-22

[3]

化学水浴制备太阳能电池吸收层CuInS2薄膜的方法 [P].

王伟煌 ;

陈桂林 ;

陈水源 ;

黄志高 .

中国专利 :CN106531845A ,2017-03-22

[4]

太阳能吸收材料及具有该材料的太阳能吸收器 [P].

尹永白 ;

杭凌霞 ;

戴维·米尔斯 .

中国专利 :CN101160495B ,2008-04-09

[5]

一种高吸光率太阳能吸收材料的制备方法 [P].

朱燕艳 ;

仇庆林 ;

潘小杰 .

中国专利 :CN106684197A ,2017-05-17

[6]

一种CuInS2纳米晶材料的制备方法 [P].

陈军 ;

彭生杰 ;

梁静 ;

王艳 ;

程方益 ;

陶占良 .

中国专利 :CN102041555A ,2011-05-04

[7]

一种纳米CuInS2的制备方法 [P].

武四新 ;

陈星 ;

庞山 .

中国专利 :CN101885509B ,2010-11-17

[8]

一种多能带太阳能吸收材料及其制备方法 [P].

陈平 ;

张华 ;

马学亮 ;

李彬彬 ;

王永存 .

中国专利 :CN105470321A ,2016-04-06

[9]

一种水泥基太阳能吸收材料及其制备方法 [P].

黄超 ;

王琦 ;

宋鹏 ;

杨中喜 ;

张春丽 .

中国专利 :CN105198328A ,2015-12-30

[10]

基于薄铜片衬底的柔性CuInS2太阳能电池的制备方法 [P].

胡俊青 ;

唐明华 ;

陈志钢 ;

田启威 ;

胡向华 .

中国专利 :CN102185021A ,2011-09-14

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