一种CuInS2纳米晶材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110007895.8

申请日：

2011-01-14

公开(公告)号：

CN102041555A

公开(公告)日：

2011-05-04

发明(设计)人：

陈军彭生杰梁静王艳程方益陶占良

申请人：

申请人地址：

300071 天津市南开区卫津路94号

IPC主分类号：

C30B2946

IPC分类号：

C30B714 C01G112

代理机构：

天津佳盟知识产权代理有限公司 12002

代理人：

侯力

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101532592834 IPC(主分类):C30B 29/46 专利申请号:2011100078958 申请公布日:20110504
2011-05-04	公开	公开
2011-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101080111434 IPC(主分类):C30B 29/46 专利申请号:2011100078958 申请日:20110114

共 50 条

[1]

CuInS2纳米晶及CuInS2/ZnS核壳结构纳米晶的制备方法 [P].

韩鹤友 ;

谷小许 ;

黄亮 .

中国专利 :CN102718249B ,2012-10-10

[2]

一种纤锌矿结构CuInS2纳米晶的制备方法 [P].

邓兆 ;

董朋飞 ;

赵珺 ;

欧阳绮 ;

李毅鹏 .

中国专利 :CN108328647A ,2018-07-27

[3]

一种CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法 [P].

王峰 ;

徐新花 ;

吉静 ;

刘景军 .

中国专利 :CN101746715A ,2010-06-23

[4]

一种均匀片状CuInS2纳米晶体的制备方法 [P].

高延敏 ;

赵琴 ;

冯清 .

中国专利 :CN102942212A ,2013-02-27

[5]

一种形貌可控的CuInS2纳米材料的高压制备方法 [P].

杨新一 ;

刘豪 ;

邹勃 ;

邹广田 .

中国专利 :CN110342569A ,2019-10-18

[6]

一种混合溶剂热法制备CuInS2纳米晶体的方法 [P].

高延敏 ;

赵琴 ;

冯清 .

中国专利 :CN103253698A ,2013-08-21

[7]

一种超薄CuInS2纳米片及其制备方法和应用 [P].

薛小刚 ;

迟华麟 ;

熊健 ;

徐娟 ;

张坚 .

中国专利 :CN108910939A ,2018-11-30

[8]

一种母液套用溶剂热法制备CuInS2纳米晶体的方法 [P].

高延敏 ;

赵琴 .

中国专利 :CN103351022A ,2013-10-16

[9]

一种CuInS2薄膜及其制备工艺 [P].

卢琳 ;

王艳杰 ;

刘天成 ;

刘迎春 ;

张达威 ;

李晓刚 .

中国专利 :CN111485266A ,2020-08-04

[10]

CuInS2合金量子点的制备方法 [P].

陈开敏 ;

刘政 ;

杨一行 .

中国专利 :CN106634975B ,2017-05-10

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