一种母液套用溶剂热法制备CuInS2纳米晶体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310208043.4

申请日：

2013-05-28

公开(公告)号：

CN103351022A

公开(公告)日：

2013-10-16

发明(设计)人：

高延敏赵琴

申请人：

申请人地址：

212003 江苏省镇江市京口区梦溪路2号

IPC主分类号：

C01G1500

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：

王华

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101716068004 IPC(主分类):C01G 15/00 专利申请号:2013102080434 申请公布日:20131016
2013-11-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101539331328 IPC(主分类):C01G 15/00 专利申请号:2013102080434 申请日:20130528
2013-10-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种混合溶剂热法制备CuInS2纳米晶体的方法 [P].

高延敏 ;

赵琴 ;

冯清 .

中国专利 :CN103253698A ,2013-08-21

[2]

一种均匀片状CuInS2纳米晶体的制备方法 [P].

高延敏 ;

赵琴 ;

冯清 .

中国专利 :CN102942212A ,2013-02-27

[3]

一种CuInS2纳米晶材料的制备方法 [P].

陈军 ;

彭生杰 ;

梁静 ;

王艳 ;

程方益 ;

陶占良 .

中国专利 :CN102041555A ,2011-05-04

[4]

一种表面活性剂改性的CuInS2纳米晶体的制备方法 [P].

高延敏 ;

赵琴 ;

冯清 .

中国专利 :CN102887538B ,2013-01-23

[5]

CuInS2纳米晶及CuInS2/ZnS核壳结构纳米晶的制备方法 [P].

韩鹤友 ;

谷小许 ;

黄亮 .

中国专利 :CN102718249B ,2012-10-10

[6]

一种纤锌矿结构CuInS2纳米晶的制备方法 [P].

邓兆 ;

董朋飞 ;

赵珺 ;

欧阳绮 ;

李毅鹏 .

中国专利 :CN108328647A ,2018-07-27

[7]

一种CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法 [P].

王峰 ;

徐新花 ;

吉静 ;

刘景军 .

中国专利 :CN101746715A ,2010-06-23

[8]

一种溶剂热法制备SmS 纳米晶的方法 [P].

郝巍 ;

黄剑锋 ;

殷立雄 ;

曹丽云 ;

吴建鹏 ;

侯艳超 ;

马小波 .

中国专利 :CN102502754A ,2012-06-20

[9]

一种溶剂热法制备尺寸可调的四氧化三锰纳米粒子的方法 [P].

宋锐 ;

杨金胜 ;

徐焕斌 ;

王旭 ;

郭睿达 ;

李秀梅 .

中国专利 :CN103896340A ,2014-07-02

[10]

一种水热／溶剂热制备硫化钴纳米晶的方法 [P].

曹丽云 ;

李碧 ;

李意峰 ;

黄剑锋 ;

吴建鹏 .

中国专利 :CN102502886B ,2012-06-20

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