一种均匀片状CuInS2纳米晶体的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210418284.7

申请日：

2012-10-26

公开(公告)号：

CN102942212A

公开(公告)日：

2013-02-27

发明(设计)人：

高延敏赵琴冯清

申请人：

申请人地址：

212003 江苏省镇江市梦溪路2号

IPC主分类号：

C01G1500

IPC分类号：

B82Y2000

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：

肖明芳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101425919164 IPC(主分类):C01G 15/00 专利申请号:2012104182847 申请日:20121026
2014-12-31	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101709336452 IPC(主分类):C01G 15/00 专利申请号:2012104182847 申请公布日:20130227
2013-02-27	公开	公开

共 50 条

[1]

一种混合溶剂热法制备CuInS2纳米晶体的方法 [P].

高延敏 ;

赵琴 ;

冯清 .

中国专利 :CN103253698A ,2013-08-21

[2]

一种表面活性剂改性的CuInS2纳米晶体的制备方法 [P].

高延敏 ;

赵琴 ;

冯清 .

中国专利 :CN102887538B ,2013-01-23

[3]

一种母液套用溶剂热法制备CuInS2纳米晶体的方法 [P].

高延敏 ;

赵琴 .

中国专利 :CN103351022A ,2013-10-16

[4]

CuInS2纳米晶及CuInS2/ZnS核壳结构纳米晶的制备方法 [P].

韩鹤友 ;

谷小许 ;

黄亮 .

中国专利 :CN102718249B ,2012-10-10

[5]

一种CuInS2纳米晶材料的制备方法 [P].

陈军 ;

彭生杰 ;

梁静 ;

王艳 ;

程方益 ;

陶占良 .

中国专利 :CN102041555A ,2011-05-04

[6]

一种CuInS2纳米颗粒的制备方法 [P].

向卫东 ;

蔡文 ;

胡杰 ;

赵寅生 ;

王晓明 .

中国专利 :CN102070184A ,2011-05-25

[7]

一种纤锌矿结构CuInS2纳米晶的制备方法 [P].

邓兆 ;

董朋飞 ;

赵珺 ;

欧阳绮 ;

李毅鹏 .

中国专利 :CN108328647A ,2018-07-27

[8]

一种CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法 [P].

王峰 ;

徐新花 ;

吉静 ;

刘景军 .

中国专利 :CN101746715A ,2010-06-23

[9]

纤锌矿结构CuInS2量子点及其制备方法 [P].

韩士奎 ;

王命泰 ;

岳文瑾 .

中国专利 :CN102531042A ,2012-07-04

[10]

一种长方体形状的CuInS2/ZnS半导体纳米晶的高效制备方法 [P].

黄博 ;

张辉朝 .

中国专利 :CN111072059B ,2020-04-28

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