一种长方体形状的CuInS2/ZnS半导体纳米晶的高效制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911419461.1

申请日：

2019-12-31

公开(公告)号：

CN111072059B

公开(公告)日：

2020-04-28

发明(设计)人：

黄博张辉朝

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

IPC主分类号：

C01G1500

IPC分类号：

C01G908 B82Y4000 B82Y3000

代理机构：

杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240

代理人：

杨舟涛

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-20	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C01G 15/00 登记生效日:20221207 变更事项:专利权人变更前权利人:杭州电子科技大学变更后权利人:上海尚朴光电技术有限公司变更事项:地址变更前权利人:310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街变更后权利人:200000 上海市奉贤区明城路1088弄7号1-2层
2020-05-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 15/00 申请日:20191231
2020-04-28	公开	公开
2022-07-08	授权	授权

共 50 条

[1]

CuInS2纳米晶及CuInS2/ZnS核壳结构纳米晶的制备方法 [P].

韩鹤友 ;

谷小许 ;

黄亮 .

中国专利 :CN102718249B ,2012-10-10

[2]

一种CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法 [P].

王峰 ;

徐新花 ;

吉静 ;

刘景军 .

中国专利 :CN101746715A ,2010-06-23

[3]

一种六边形CuInS2/ZnS半导体厚纳米板的高效制备方法 [P].

黄博 ;

张辉朝 .

中国专利 :CN111099653A ,2020-05-05

[4]

一种CuInS2纳米晶材料的制备方法 [P].

陈军 ;

彭生杰 ;

梁静 ;

王艳 ;

程方益 ;

陶占良 .

中国专利 :CN102041555A ,2011-05-04

[5]

一种CuInS2/ZnS大颗粒量子点纳米材料的高温制备方法 [P].

黄博 ;

张辉朝 .

中国专利 :CN111100630B ,2020-05-05

[6]

一种纤锌矿结构CuInS2纳米晶的制备方法 [P].

邓兆 ;

董朋飞 ;

赵珺 ;

欧阳绮 ;

李毅鹏 .

中国专利 :CN108328647A ,2018-07-27

[7]

一种半导体纳米晶的制备方法 [P].

李林松 ;

娄世云 ;

牛金钟 .

中国专利 :CN101311383B ,2008-11-26

[8]

一种均匀片状CuInS2纳米晶体的制备方法 [P].

高延敏 ;

赵琴 ;

冯清 .

中国专利 :CN102942212A ,2013-02-27

[9]

ZnS纳米晶半导体前驱薄膜或半导体薄膜的电化学制备方法 [P].

王峰 ;

徐新花 ;

李志林 ;

刘景军 ;

吉静 .

中国专利 :CN102864475A ,2013-01-09

[10]

CuInS2纳米线的一步合成制备方法 [P].

邹超 ;

李强 ;

黄少铭 .

中国专利 :CN102951676A ,2013-03-06

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