CuInS2纳米线的一步合成制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201210482523.5
申请日
2012-11-22
公开(公告)号
CN102951676A
公开(公告)日
2013-03-06
发明(设计)人
邹超 李强 黄少铭
申请人
申请人地址
325000 浙江省温州市茶山高教园区
IPC主分类号
C01G1500
IPC分类号
B82Y4000
代理机构
北京中北知识产权代理有限公司 11253
代理人
程春生
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
CuInS2量子点、CuInS2/ZnS量子点及其制备和应用 [P]. 
宁志军 ;
刘晓院 ;
王瑞丽 .
中国专利 :CN107201226A ,2017-09-26
[2]
CuInS2单晶体的制备方法和CuInS2单晶体制备装置 [P]. 
赵岳 ;
丁艳丽 ;
冯月 ;
王林军 ;
彭翔 ;
梁小燕 ;
闵嘉华 ;
史伟民 .
中国专利 :CN103993355A ,2014-08-20
[3]
一种CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法 [P]. 
王峰 ;
徐新花 ;
吉静 ;
刘景军 .
中国专利 :CN101746715A ,2010-06-23
[4]
一种室温下一步合成银纳米线的制备方法 [P]. 
杨光参 ;
王艳伟 ;
陈峰 .
中国专利 :CN107127352A ,2017-09-05
[5]
一种三维中空CuInS2微球的制备方法 [P]. 
邹超 ;
马亚辉 ;
黄少铭 ;
杨云 ;
张礼杰 .
中国专利 :CN104891555A ,2015-09-09
[6]
溶剂热合成反应一步制备高长径比银纳米线的方法 [P]. 
杨超 ;
朱静雯 ;
李跃 ;
申乾宏 ;
杨辉 .
中国专利 :CN120502705A ,2025-08-19
[7]
一步法制备氧化镉纳米线的方法及其应用 [P]. 
鲁逸人 ;
陈鹏 ;
李振国 ;
童银栋 ;
刘双喜 ;
张立红 ;
任晓宁 ;
刘宪华 ;
魏树龙 .
中国专利 :CN107304065A ,2017-10-31
[8]
一步法合成高稳定高导电铜纳米线墨水的方法 [P]. 
曾海波 ;
董宇辉 ;
许蕾梦 ;
李建海 ;
薛洁 ;
宋继中 .
中国专利 :CN104923803A ,2015-09-23
[9]
三维蜂窝状CuInS2纳米线阵列太阳能吸收材料制备方法 [P]. 
苏言杰 ;
李明 ;
张亚非 ;
胡敬 .
中国专利 :CN105084416A ,2015-11-25
[10]
一步合成液体抗氧剂的方法 [P]. 
罗国荣 ;
宋宪兴 ;
张振飞 ;
刘宝军 ;
褚园园 ;
张何华 .
中国专利 :CN113087620A ,2021-07-09