一种CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910236304.7

申请日：

2009-10-16

公开(公告)号：

CN101746715A

公开(公告)日：

2010-06-23

发明(设计)人：

王峰徐新花吉静刘景军

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北三环东路15号

IPC主分类号：

B82B300

IPC分类号：

H01L3118 C03C1722 C25D904

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司 11203

代理人：

沈波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-08-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101004901891 IPC(主分类):B82B 3/00 专利申请号:2009102363047 申请日:20091016
2013-04-17	授权	授权
2010-06-23	公开	公开

共 50 条

[1]

一种CuInS2纳米晶材料的制备方法 [P].

陈军 ;

彭生杰 ;

梁静 ;

王艳 ;

程方益 ;

陶占良 .

中国专利 :CN102041555A ,2011-05-04

[2]

CuInS2纳米晶及CuInS2/ZnS核壳结构纳米晶的制备方法 [P].

韩鹤友 ;

谷小许 ;

黄亮 .

中国专利 :CN102718249B ,2012-10-10

[3]

一种长方体形状的CuInS2/ZnS半导体纳米晶的高效制备方法 [P].

黄博 ;

张辉朝 .

中国专利 :CN111072059B ,2020-04-28

[4]

一种纤锌矿结构CuInS2纳米晶的制备方法 [P].

邓兆 ;

董朋飞 ;

赵珺 ;

欧阳绮 ;

李毅鹏 .

中国专利 :CN108328647A ,2018-07-27

[5]

一种CdSe纳米晶半导体薄膜的制备方法 [P].

魏爱香 ;

赵湘辉 ;

招瑜 ;

刘俊 ;

李金庭 .

中国专利 :CN102522454A ,2012-06-27

[6]

一种均匀片状CuInS2纳米晶体的制备方法 [P].

高延敏 ;

赵琴 ;

冯清 .

中国专利 :CN102942212A ,2013-02-27

[7]

ZnS纳米晶半导体前驱薄膜或半导体薄膜的电化学制备方法 [P].

王峰 ;

徐新花 ;

李志林 ;

刘景军 ;

吉静 .

中国专利 :CN102864475A ,2013-01-09

[8]

一种CuInS2薄膜及其制备工艺 [P].

卢琳 ;

王艳杰 ;

刘天成 ;

刘迎春 ;

张达威 ;

李晓刚 .

中国专利 :CN111485266A ,2020-08-04

[9]

一种混合溶剂热法制备CuInS2纳米晶体的方法 [P].

高延敏 ;

赵琴 ;

冯清 .

中国专利 :CN103253698A ,2013-08-21

[10]

一种母液套用溶剂热法制备CuInS2纳米晶体的方法 [P].

高延敏 ;

赵琴 .

中国专利 :CN103351022A ,2013-10-16

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