一种CdSe纳米晶半导体薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110419632.8

申请日：

2011-12-15

公开(公告)号：

CN102522454A

公开(公告)日：

2012-06-27

发明(设计)人：

魏爱香赵湘辉招瑜刘俊李金庭

申请人：

申请人地址：

510006 广东省广州市番禺区广州大学城外环西路100号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000 C23C1800

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

林丽明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101320537561 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2011104196328 申请日:20111215
2012-06-27	公开	公开
2014-06-04	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101701482606 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2011104196328 申请公布日:20120627

共 50 条

[1]

一种ZnS1-xSex半导体薄膜的制备方法 [P].

刘俊 ;

刘军 ;

魏爱香 ;

庄米雪 .

中国专利 :CN102808174A ,2012-12-05

[2]

一种CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法 [P].

王峰 ;

徐新花 ;

吉静 ;

刘景军 .

中国专利 :CN101746715A ,2010-06-23

[3]

ZnS纳米晶半导体前驱薄膜或半导体薄膜的电化学制备方法 [P].

王峰 ;

徐新花 ;

李志林 ;

刘景军 ;

吉静 .

中国专利 :CN102864475A ,2013-01-09

[4]

一种半导体纳米晶的制备方法 [P].

李林松 ;

娄世云 ;

牛金钟 .

中国专利 :CN101311383B ,2008-11-26

[5]

一种CdTe半导体纳米晶制备方法 [P].

王耀斌 .

中国专利 :CN105565283A ,2016-05-11

[6]

一种CdSe纳米晶光电材料的制备方法 [P].

王晶晶 ;

钟福新 ;

黎燕 ;

江瑶瑶 ;

莫德清 ;

朱义年 .

中国专利 :CN105800952A ,2016-07-27

[7]

一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元半导体纳米晶发光薄膜制备方法 [P].

李振荣 ;

陈兆平 ;

路亚群 ;

张忠利 ;

高宝禄 ;

邓胜龙 .

中国专利 :CN103980890B ,2014-08-13

[8]

半导体纳米晶群及其制备方法 [P].

彭笑刚 ;

曹煦 ;

李炯昭 .

中国专利 :CN119980474A ,2025-05-13

[9]

半导体薄膜、半导体薄膜的制备方法和半导体元件 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

本田克典 .

中国专利 :CN103274608A ,2013-09-04

[10]

半导体薄膜、半导体薄膜的制备方法和半导体元件 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

本田克典 .

中国专利 :CN101679036A ,2010-03-24

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