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半导体装置及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201610340793.0
申请日：
2016-05-20
公开(公告)号：
CN106257676B
公开(公告)日：
2016-12-28
发明(设计)人：
宇佐美达矢
申请人：
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
H01L2712
IPC分类号：
H01L21762
代理机构：
中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038
代理人：
金光华
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2018-06-22 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20160520 |
| 2016-12-28 | 公开 | 公开 |
| 2022-01-14 | 授权 | 授权 |