一种生长高质量金刚石颗粒及金刚石薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810455956.9

申请日：

2018-05-14

公开(公告)号：

CN108505018B

公开(公告)日：

2018-09-07

发明(设计)人：

朱嘉琦姚凯丽代兵杨磊韩杰才

申请人：

申请人地址：

150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

C23C1627

IPC分类号：

C23C16511

代理机构：

哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109

代理人：

贾泽纯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-07	公开	公开
2019-11-05	授权	授权
2018-10-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/27 申请日:20180514

共 50 条

[1]

一种高质量波形金刚石膜的制备方法 [P].

李志博 ;

李明君 ;

李高金 ;

吕申申 .

中国专利 :CN118207512A ,2024-06-18

[2]

一种金刚石膜片制备方法及金刚石膜片 [P].

陈永超 ;

张坤锋 ;

张星 .

中国专利 :CN117328032A ,2024-01-02

[3]

一种金刚石生长托盘、金刚石生长装置及金刚石生长方法 [P].

曾凡初 ;

胡清明 .

中国专利 :CN117604628A ,2024-02-27

[4]

一种分阶段生长高质量异质外延单晶金刚石的方法 [P].

李红东 ;

张浩楠 ;

成绍恒 ;

刘钧松 ;

高楠 ;

张宇轩 .

中国专利 :CN120174480A ,2025-06-20

[5]

金刚石薄膜的制造方法及金刚石薄膜制造装置 [P].

安藤瞭汰 ;

长町学 ;

辰巳夏生 .

日本专利 :CN120858197A ,2025-10-28

[6]

金刚石薄膜的生长装置 [P].

杨远超 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN102011101B ,2011-04-13

[7]

金刚石生长 [P].

G·J·达维斯 ;

R·A·查普曼 ;

A·斯特瓦特 ;

L·K·赫德格斯 .

中国专利 :CN1260734A ,2000-07-19

[8]

一种金刚石颗粒的制备方法和金刚石颗粒 [P].

刘源 ;

况家仪 ;

梁刚强 .

中国专利 :CN119913616A ,2025-05-02

[9]

多晶金刚石薄膜生长装置及方法 [P].

党文立 ;

蒋明权 ;

张增雄 ;

马峻燃 .

中国专利 :CN118653209A ,2024-09-17

[10]

制备金刚石和类金刚石薄膜的方法 [P].

马志斌 ;

汪建华 .

中国专利 :CN1410590A ,2003-04-16

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