一种背面钝化的晶体硅太阳能电池及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810895722.6

申请日：

2018-08-08

公开(公告)号：

CN109087965A

公开(公告)日：

2018-12-25

发明(设计)人：

黄仕华周理想池丹陆肖励

申请人：

申请人地址：

321004 浙江省金华市迎宾大道688号

IPC主分类号：

H01L31049

IPC分类号：

H01L310216 H01L3118 H01L310304

代理机构：

杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216

代理人：

朱枫

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-17	授权	授权
2019-01-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/049 申请日:20180808
2018-12-25	公开	公开

共 50 条

[1]

背面钝化晶体硅太阳能电池的制备方法 [P].

蔡二辉 ;

刘伟 ;

余涛 ;

陈筑 ;

刘晓巍 .

中国专利 :CN102969398A ,2013-03-13

[2]

晶体硅太阳能电池钝化层、制备方法及其在晶体硅太阳能电池中的应用 [P].

张旭宁 ;

赵梓琦 ;

陈剑辉 ;

李文恒 .

中国专利 :CN119730478A ,2025-03-28

[3]

背面钝化晶体硅太阳能电池用铝浆及其制备方法 [P].

刘飘 ;

宁天翔 ;

宁文敏 ;

胡蔚 ;

邓莎 .

中国专利 :CN106935309A ,2017-07-07

[4]

晶体硅太阳能电池及其钝化方法 [P].

李广 .

中国专利 :CN102169924A ,2011-08-31

[5]

一种晶体硅太阳能电池用背面钝化膜及太阳能电池 [P].

张金花 ;

费存勇 ;

赵福祥 .

中国专利 :CN212676280U ,2021-03-09

[6]

一种晶体硅太阳能电池的制备方法及晶体硅太阳能电池 [P].

杨楠楠 ;

金井升 ;

张彼克 .

中国专利 :CN112599636A ,2021-04-02

[7]

晶体硅太阳能电池的背钝化方法及晶体硅太阳能电池的制备方法 [P].

廖辉 ;

梁杭伟 ;

祁嘉铭 ;

叶雄新 ;

孙小菩 ;

彭华 ;

罗静 .

中国专利 :CN103746039A ,2014-04-23

[8]

晶体硅太阳能电池的钝化方法 [P].

邓伟伟 ;

冯志强 .

中国专利 :CN102364696A ,2012-02-29

[9]

一种晶体硅太阳能电池P型硅背面钝化膜及其制备方法 [P].

鲁伟明 .

中国专利 :CN102969367A ,2013-03-13

[10]

晶体硅太阳能电池钝化层及其制备方法、电池 [P].

杨浩成 ;

洪剑波 ;

田得雨 ;

王永谦 ;

陈刚 .

中国专利 :CN113161448A ,2021-07-23

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