薄膜集成电路器件的制造方法和非接触薄膜集成电路器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480037193.2

申请日：

2004-12-14

公开(公告)号：

CN1894796B

公开(公告)日：

2007-01-10

发明(设计)人：

山崎舜平小森美帆佐藤由里香细木和江荻田香

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L29786 H01L21336 G06K1900

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

秦晨

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20041214 授权公告日:20100901 终止日期:20171214
2010-09-01	授权	授权
2007-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-01-10	公开	公开

共 50 条

[1]

集成电路器件和制造集成电路器件的方法 [P].

古淑瑗 ;

孙志铭 ;

郑振辉 .

中国专利 :CN109817580B ,2019-05-28

[2]

制造集成电路器件的方法和集成电路器件 [P].

赖理学 ;

吴高铭 ;

姜慧如 ;

林仲德 .

中国专利 :CN114883249A ,2022-08-09

[3]

集成电路器件和制造该集成电路器件的方法 [P].

尹灿植 ;

李昊仁 ;

李基硕 ;

朴济民 .

中国专利 :CN108987406A ,2018-12-11

[4]

集成电路器件和制造该集成电路器件的方法 [P].

辛宗玟 ;

郑元哲 ;

申宪宗 .

韩国专利 :CN119562570A ,2025-03-04

[5]

集成电路器件及制造集成电路器件的方法 [P].

李源 ;

索姆·纳瑟 ;

马尔腾·范多特 .

中国专利 :CN102738104B ,2012-10-17

[6]

集成电路器件及制造集成电路器件的方法 [P].

裵德汉 ;

金盛民 ;

朴柱勋 ;

李留利 ;

郑润永 ;

洪秀妍 .

中国专利 :CN113782515A ,2021-12-10

[7]

集成电路器件及制造集成电路器件的方法 [P].

李真旭 ;

闵淙渶 ;

郑圭镐 ;

朴晙晳 ;

白智叡 ;

李叡璱 .

韩国专利 :CN119545789A ,2025-02-28

[8]

集成电路器件及其制造方法、以及集成电路制造系统 [P].

陈重辉 ;

张子敬 ;

谢正祥 .

中国专利 :CN113380795B ,2025-06-27

[9]

集成电路器件及其制造方法、以及集成电路制造系统 [P].

陈重辉 ;

张子敬 ;

谢正祥 .

中国专利 :CN113380795A ,2021-09-10

[10]

集成电路器件制造方法 [P].

占琼 ;

胡胜 ;

周俊 .

中国专利 :CN113488392B ,2021-10-08

← 1 2 3 4 5 →