用于制造包含每单位面积有高电容的电容器的半导体组件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780014049.0

申请日：

2007-02-20

公开(公告)号：

CN101427373A

公开(公告)日：

2009-05-06

发明(设计)人：

M·M·佩莱拉

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

H01L2184

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司

代理人：

程伟;王锦阳

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-08	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101007449481 IPC(主分类):H01L 27/06 专利申请号:2007800140490 变更事项:申请人变更前权利人:先进微装置公司变更后权利人:格罗方德半导体公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:英属开曼群岛大开曼岛登记生效日:20100730
2020-02-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/06 申请日:20070220 授权公告日:20120530 终止日期:20190220
2009-05-06	公开	公开
2012-05-30	授权	授权
2009-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

制造用于半导体器件的电容器的方法 [P].

韩昌勋 .

中国专利 :CN1897222B ,2007-01-17

[2]

电容器及制造电容器和半导体器件的方法 [P].

曹圭镐 ;

姜相列 ;

金洙焕 ;

文瑄敏 ;

朴瑛琳 ;

徐钟汎 ;

全柱炫 .

韩国专利 :CN113964269B ,2025-11-11

[3]

电容器及制造电容器和半导体器件的方法 [P].

曹圭镐 ;

姜相列 ;

金洙焕 ;

文瑄敏 ;

朴瑛琳 ;

徐钟汎 ;

全柱炫 .

中国专利 :CN113964269A ,2022-01-21

[4]

包含场效应晶体管以及减少漏电流与提高单位面积电容量的被动电容器的半导体装置 [P].

K·维乔雷克 ;

G·布尔巴赫 ;

T·费德尔 .

中国专利 :CN1685511A ,2005-10-19

[5]

用于制造半导体电容器的方法 [P].

韩熙 ;

金璟晙 ;

崔棅圭 .

中国专利 :CN101689549A ,2010-03-31

[6]

用于制造半导体器件的电容器的方法及电容器 [P].

崔璟根 .

中国专利 :CN1065658C ,1997-09-03

[7]

电容器及该电容器的制造方法 [P].

内藤一美 ;

矢部正二 .

中国专利 :CN1748271A ,2006-03-15

[8]

电容器的制造方法 [P].

刘程秀 .

中国专利 :CN107170591A ,2017-09-15

[9]

电容器及制造电容器和半导体器件的方法 [P].

曹圭镐 ;

姜相列 ;

金洙焕 ;

文瑄敏 ;

朴瑛琳 ;

徐钟汎 ;

全柱炫 .

中国专利 :CN108807345B ,2018-11-13

[10]

制造半导体器件电容器的方法 [P].

崔璟根 .

中国专利 :CN1256511A ,2000-06-14

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