辐射传感器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980079106.6

申请日：

2019-11-29

公开(公告)号：

CN113261115A

公开(公告)日：

2021-08-13

发明(设计)人：

H·高特罗布 M·施密特 C·戈鲍尔

申请人：

申请人地址：

德国海尔布隆市

IPC主分类号：

H01L310203

IPC分类号：

H01L310232 H01L3110 H01L31102

代理机构：

北京市中伦律师事务所 11410

代理人：

钟锦舜;姜香丹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0203 申请日:20191129
2021-08-13	公开	公开

共 50 条

[1]

光刻设备与辐射传感器及辐射传感器制造方法 [P].

海柯·V·柯克 ;

阿里西·J·范德西斯 .

中国专利 :CN101109908A ,2008-01-23

[2]

辐射传感器、晶片、传感器模块和用于制造辐射传感器的方法 [P].

马丁·豪斯纳 ;

于尔根·席尔茨 ;

弗瑞德·普洛茨 ;

赫尔曼·卡拉格左克鲁 .

中国专利 :CN1784355A ,2006-06-07

[3]

电磁辐射传感器及其制造方法 [P].

M·利热 .

中国专利 :CN102326255B ,2012-01-18

[4]

辐射传感器 [P].

大卫·米尼基利 ;

米歇尔·托尼奥 ;

弗里德里希·弗里德尔 .

中国专利 :CN107438900A ,2017-12-05

[5]

辐射传感器 [P].

E·芬德莱 .

中国专利 :CN102538955A ,2012-07-04

[6]

辐射传感器 [P].

T·J·克雷尔纳 ;

P·J·斯特劳布 ;

R·特威尼 .

中国专利 :CN101196423A ,2008-06-11

[7]

辐射传感器 [P].

E·芬德雷 .

中国专利 :CN103314281A ,2013-09-18

[8]

辐射传感器 [P].

L·E·安托努克 .

中国专利 :CN107425020A ,2017-12-01

[9]

辐射传感器 [P].

Ｃ·Ｊ·阿尔德 .

中国专利 :CN1054946C ,1996-08-07

[10]

传感器装置及其制造方法、运动传感器及其制造方法 [P].

大槻哲也 .

中国专利 :CN102192732A ,2011-09-21

← 1 2 3 4 5 →