制备颗粒增强镁基复合材料的工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03116168.5

申请日：

2003-04-03

公开(公告)号：

CN1195089C

公开(公告)日：

2003-09-10

发明(设计)人：

王浩伟张修庆马乃恒滕新营李险峰

申请人：

申请人地址：

200030上海市华山路1954号

IPC主分类号：

C22C2300

IPC分类号：

C22C100 C22C3200

代理机构：

上海交达专利事务所

代理人：

王锡麟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-09-10	公开	公开
2003-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-03-30	授权	授权
2009-06-03	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)

共 50 条

[1]

制备原位颗粒增强镁基复合材料的工艺 [P].

张修庆 ;

王浩伟 ;

马乃恒 ;

滕新营 ;

厉松春 .

中国专利 :CN1560305A ,2005-01-05

[2]

混合盐法制备原位增强镁基复合材料工艺 [P].

王浩伟 ;

张修庆 ;

滕新营 ;

马乃恒 ;

易宏展 .

中国专利 :CN1195090C ,2003-09-10

[3]

颗粒增强镁基复合材料的制备方法 [P].

姜启川 ;

李新林 ;

王慧远 ;

关庆丰 ;

赵玉谦 ;

王金国 ;

赵宇光 ;

王树奇 ;

王春生 ;

战松江 .

中国专利 :CN1396284A ,2003-02-12

[4]

真空压力浸渗制备颗粒增强镁基复合材料的工艺 [P].

徐志锋 ;

余欢 ;

蔡长春 ;

胡美忠 ;

严青松 ;

俞子荣 .

中国专利 :CN1936047A ,2007-03-28

[5]

制备镁基复合材料的工艺 [P].

张修庆 ;

王浩伟 ;

马乃恒 ;

滕新营 ;

易宏展 .

中国专利 :CN1203201C ,2003-09-10

[6]

原位合成颗粒增强镁基复合材料的制备方法 [P].

张荻 ;

曹玮 ;

范同祥 ;

张从发 .

中国专利 :CN101215649A ,2008-07-09

[7]

反应球磨制备原位增强镁基复合材料的工艺 [P].

张修庆 ;

王浩伟 ;

滕新营 ;

马乃恒 .

中国专利 :CN1441073A ,2003-09-10

[8]

原位制备TiC颗粒增强镁基复合材料的方法 [P].

张荻 ;

曹玮 ;

范同祥 ;

张从发 .

中国专利 :CN100595007C ,2008-07-09

[9]

制备准晶颗粒增强镁基复合材料的工艺 [P].

李小平 ;

徐洲 ;

李卫红 ;

严峰 .

中国专利 :CN1306051C ,2004-09-01

[10]

颗粒增强镁基复合材料的制备方法 [P].

姜启川 ;

王慧远 ;

关庆丰 ;

李新林 ;

赵玉谦 ;

王金国 ;

赵宇光 ;

王数奇 ;

王春生 .

中国专利 :CN1375567A ,2002-10-23

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