磁控溅射制备减摩IF－WS2/IF－MoS2复合薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510030259.1

申请日：

2005-09-30

公开(公告)号：

CN1757788A

公开(公告)日：

2006-04-12

发明(设计)人：

何丹农尹桂林涂江平夏正志余震

申请人：

申请人地址：

200240上海市闵行区东川路800号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1454 C23C1406

代理机构：

上海交达专利事务所

代理人：

王锡麟;王桂忠

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-05-14	授权	授权
2011-12-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101147910384 IPC(主分类):C23C 14/35 专利号:ZL2005100302591 申请日:20050930 授权公告日:20080514 终止日期:20100930
2006-06-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-04-12	公开	公开

共 50 条

[1]

一种减摩IF－WS2/Ag复合薄膜 [P].

涂江平 ;

何丹农 ;

杨友志 .

中国专利 :CN1737091A ,2006-02-22

[2]

磁控溅射制备减磨MoS2/C/Ti复合薄膜的方法 [P].

李倩倩 ;

周磊 ;

尹桂林 ;

余震 ;

何丹农 .

中国专利 :CN101654771A ,2010-02-24

[3]

减摩MoS2/Ti复合镀层 [P].

何丹农 ;

涂江平 ;

夏正志 ;

余震 .

中国专利 :CN1718857A ,2006-01-11

[4]

基于MoS2-TiC-C的自润滑减摩复合薄膜及其制备方法 [P].

宋佳 ;

李倩倩 ;

尹桂林 ;

余震 ;

何丹农 .

中国专利 :CN101921984B ,2010-12-22

[5]

射频磁控溅射制备ZrW2O8/ZrO2薄膜的方法 [P].

严学华 ;

程晓农 .

中国专利 :CN1718850A ,2006-01-11

[6]

一种磁控溅射环氧树脂/铜复合薄膜的制备方法 [P].

顾楷之 ;

师晓莉 ;

冯晶 ;

郑凯韬 ;

韦贺 .

中国专利 :CN121087437A ,2025-12-09

[7]

一种TiWN/MoS2复合薄膜的制备方法 [P].

李长生 ;

莫超超 ;

唐华 ;

范有志 ;

胡志立 .

中国专利 :CN102094172B ,2011-06-15

[8]

CrMoN/MoS2宽温域润滑耐磨复合薄膜及其制备方法 [P].

贾均红 ;

鲁成 ;

时昀 ;

何乃如 ;

张广安 ;

孙航 ;

杨鑫然 ;

王奎 ;

蔡粮臣 .

中国专利 :CN113061858A ,2021-07-02

[9]

少层MoS2修饰Ag-TiO2纳米复合薄膜的制备方法 [P].

吕建国 .

中国专利 :CN108579768A ,2018-09-28

[10]

WS2/Ag复合梯度固体润滑薄膜的制造方法 [P].

金杰 ;

邱维维 ;

王月 ;

朱政 .

中国专利 :CN104962859A ,2015-10-07

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