用于通过纹理蚀刻制造涂层物体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180002524.9

申请日：

2011-01-27

公开(公告)号：

CN102473743B

公开(公告)日：

2012-05-23

发明(设计)人：

奥利弗·卡贝茨洛塔尔·赫利策汉斯约尔格·韦斯迈克尔·普尔温斯

申请人：

申请人地址：

德国劳恩福特

IPC主分类号：

H01L310236

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291

代理人：

黄志华

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-11-19	授权	授权
2012-07-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101282312694 IPC(主分类):H01L 31/0236 专利申请号:2011800025249 申请日:20110127
2012-05-23	公开	公开

共 50 条

[1]

蚀刻溶液,蚀刻制品和制造蚀刻制品的方法 [P].

毛塚健彦 ;

陶山诚 ;

板野充司 .

中国专利 :CN100595893C ,2001-12-26

[2]

用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物以及纹理蚀刻方法 [P].

洪亨杓 ;

李在连 ;

朴勉奎 .

中国专利 :CN103562344A ,2014-02-05

[3]

用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物和纹理蚀刻方法 [P].

洪亨杓 ;

李在连 ;

林大成 .

中国专利 :CN103547654B ,2014-01-29

[4]

用于制造多层涂层的方法 [P].

G·阿夫格纳基 ;

M·布伦纳 ;

V·克格尔 ;

V·帕施曼 .

中国专利 :CN101203330B ,2008-06-18

[5]

用于制造PVD涂层的方法 [P].

埃里克·沃林 ;

乌尔夫·赫尔默松 .

中国专利 :CN101802247A ,2010-08-11

[6]

形成半导体镶嵌结构的蚀刻制造工艺 [P].

吴至宁 .

中国专利 :CN1266748C ,2004-09-22

[7]

制造显示设备的方法和蚀刻溶液组合物 [P].

张尚勋 ;

尹暎晋 ;

沈庆辅 .

中国专利 :CN103000509B ,2013-03-27

[8]

基于各向异性蚀刻制造结构的方法和具有蚀刻掩模的硅基片 [P].

野口薰 ;

堀田薰央 ;

虎岛和敏 ;

濑户本丰 .

中国专利 :CN101462692A ,2009-06-24

[9]

层叠体、蚀刻掩模、层叠体的制造方法、蚀刻掩模的制造方法、及薄膜晶体管的制造方法 [P].

井上聪 ;

下田达也 ;

深田和宏 ;

西冈圣司 .

中国专利 :CN108885987A ,2018-11-23

[10]

蚀刻剂组合物和制造用于液晶显示器的阵列基板的方法 [P].

刘仁浩 ;

南基龙 ;

李承洙 .

中国专利 :CN106010541A ,2016-10-12

← 1 2 3 4 5 →